昆明理工大学材料科学与工程学院作为第一单位，在期刊Nanoscale上发表题为“Two-dimensional semiconductor materials with high stability and electron mobility in group-11 chalcogenide compounds: MNX (M = Cu, Ag, Au; N = Cu, Ag, Au; X = S, Se, Te; M ≠ N)”的文章。上官炜为论文的第一作者，闫翠霞副教授为通讯作者。
随着科学技术的进步和工业化的加速，为下一代电子器件的应用寻找合适的带隙、高稳定性和高迁移率的二维半导体材料仍然是一项紧迫的任务。我们报道了一类新的二维铜族-硫族三元素单分子层MNX，其中M=Cu，Ag，Au；N=Cu，Ag，Au；X=S，Se，Te；M≠ N，它们具有宽禁带、优异的稳定性（动态稳定性、热力学稳定性、机械稳定性和环境稳定性）和高迁移率使得它们在未来的纳米电子学和光电子领域具有广阔的应用前景。
文章信息：
Submitted：21 Oct 2021
Accepted ：27 Dec 2021
DOI: 10.1039/d1nr06971c
发表于Nanoscale