张源涛 - 吉林大学 - 电子科学与工程学院

个人简介

张源涛，吉林大学教授、博士生导师，教育部新世纪人才，中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会委员。曾长期在德国和日本从事宽禁带半导体科学研究工作。2006年2月至2007年2月，德国德累斯顿工业大学应用物理研究所洪堡学者（Humboldt fellow）。2008年8月至2010年3月日本东北大学金属材料研究所JST-CREST研究员。2010年4月至2012年5月日本东北大学金属材料研究所日本学术振兴会外国人特别研究员(JSPS fellow)。受教育经历： 2000/09 – 2005/06，吉林大学，电子科学与工程学院，硕博连读/博士 1996/09 – 2000/06，吉林大学，电子工程系，本科/学士工作经历： 2014/09 至今，吉林大学，电子科学与工程学院，教授/博导 2008/09 – 2014/09，吉林大学，电子科学与工程学院，副教授 2005/09 – 2008/09，吉林大学，电子科学与工程学院，讲师 2010/04 – 2012/04，日本东北大学，金属材料研究所，日本学术振兴会外国人特别研究员 2008/08 – 2010/03，日本东北大学，金属材料研究所，日本科学技术振兴机构CREST研究员 2006/02 – 2007/02，德国德累斯顿工业大学，应用物理研究所，洪堡学者

研究领域

1、氮化物半导体材料的外延生长、物理特性及相关器件研究。该方面工作主要是利用从德国AIXTRON公司购入的一台价值超百万美元的氮化物生长用CCS 3×2″MOCVD设备，开展氮化物半导体材料（GaN、AlN、BN、InN、InGaN、AlGaN、BGaN、BAlN及上述材料组成的量子阱结构）的外延生长、材料物理特性及相关光电子器件（LED、激光器等）和电子器件（高电子迁移率晶体管等）研究。 2、氧化物材料的外延生长、物理特性及应用研究。该方面研究工作主要是利用自主设计的氧化物MOCVD系统在不同衬底材料上生长氧化物半导体薄膜（Ga2O3、ZnO、MgZnO、InGaZnO等），并研制氧化物异质结光电子器件和功率电子器件。 3、新型光电子器件研究。该方面工作主要是开展石墨烯和无机钙钛矿等新颖材料与宽带半导体材料结合研究，构筑新型光电子器件。

近期论文

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1、Long Yan, Yuantao Zhang*(通讯作者), Xu Han, Gaoqiang Deng, et. al., “Polarization-induced hole doping in N-polar III-nitride LED grown by metalorganic chemical vapor depositon, Applied Physics Letters, 112, 182104 (2018). 2、Gaoqiang Deng, Yuantao Zhang*(通讯作者), Ye Yu, Long Yan, et. al., “Significantly improved surface morphology of N-polar GaN film grown on SiC substrate by the optimization of V/III ratio”, Applied Physics Letters, 112, 151607 (2018). 3、Zhifeng Shi, Ying Li, Yuantao Zhang*(通讯作者), Yongshen Chen, et. al., “High-efficiency and air-stable perovskite quantum dots light-emitting diodes with an all-inorganic heterstructure”, Nanoletters, 17 (1), 313 (2017). 4、Gaoqiang Deng, Yuantao Zhang*(通讯作者), Zhen Huang, Long Yan, et. al., “The growth optimization and mechanism of N-polar GaN films with an in situ porous SiNx interlayer” CrystEngComm, 19, 4330 (2017). 5、Junyan Jiang, Yuantao Zhang*(通讯作者), Chen Chi, Zhifeng Shi, et. al., “Improved ultraviolet emission performance from polarization-engineered n-ZnO/p-GaN heterojunction diode”, Applied Physics Letters, 108, 063505 (2016). 6、Zhifeng Shi, Yuantao Zhang(共同第一作者), Xijun Cui, et. al., “High-temperature continuous-wave laser realized in hollow microcavities”, Scientific Reports, 4, 7180 (2014). 7、Zhifeng Shi, Yuantao Zhang*(通讯作者), Xiachuan Xia, Guotong Du, et. al., “Electrically driven ultraviolet random lasing from an n-MgZnO/i-ZnO/SiO2/p-Si asymmetric double heterojunction”, Nanoscale, 5, 5080 (2013). 8、Zhifeng Shi, Yuantao Zhang*(通讯作者), Bin Wu, Guotong Du, et. al., “Vertical conducting ultraviolet light-emitting diodes based on p-ZnO:As/n-GaN/n-SiC heterojunction”, Applied Physics Letters, 102, 161101 (2013). 9、Zhifeng Shi, Yuntao Zhang*(通讯作者), Jinxiang Zhang, Guotong Du, et. al., “High-performance ultraviolet-blue light-emitting diodes based on an n-ZnO nanowall networks/p-GaN heterojunction”, Applied Physical Letters, 103, 021109 (2013). 10、Zhifeng Shi, Bin Wu, Xupu Cai, Yuantao Zhang*(通讯作者) et. al., “Photofacilitated controllable growth of ZnO films using photoassisted metalorganic chemical vapor deposition”, Crystal Growth & Design, 12, 4417 (2012). 11、Zhifeng Shi, Yuantao Zhang*(通讯作者), Xupu Cai, Guotong Du, et. al., “Parametric study on controllable growth of ZnO nanostructures with tunable dimensions using catalyst-free metal organic chemical vapor deposition”, CrystEngComm, 16, 455, (2014). 12、Yuantao Zhang*, Takeshi Kimura, et. al., "Optical properties of InN films grown by pressurized-reactor metalorganic vapor phase epitaxy", Thin Solid Films 536, 152 (2013). 13、Yuantao Zhang*, Yuhuai Liu, Takeshi Kimura, Masaki Hirata, Kiattiwut Prasertusk, Ryuji Katayama, and Takashi Matsuoka, "Effect of Growth Temperature on Structure Properties of InN Grown by Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy ", phys. stat. sol. (c), 8, 482 (2011). 14、Yuantao Zhang*, Guotong Du, Xinqiang Wang, Wancheng Li et al., “X-ray photoelectron spectroscopy study of ZnO films grown by metal-organic chemical vapor deposition”, Journal of Crystal Growth, 252, 180-183 (2003). 15、Yuantao Zhang, Guotong Du, Dali Liu, Xinqiang Wang et al., “Crystal growth of undoped ZnO films on Si substrates under different sputtering conditions”, Journal of Crystal Growth, 243, 439-443 (2002).