陈鹏 - 南京大学 - 电子科学与工程学院

个人简介

2000年12月获南京大学物理系理学博士学位，2002年至2007年任新加坡国立大学电机工程系博士生导师、新加坡科研局材料研究院研究员、首席科学家。2008年进入江苏省“333高层次人才培养工程”中第二层次，并于2011年获表彰，获2008年度“江苏省高层次创新创业人才引进计划”创新人才资助，2010年获“江苏省有突出贡献的中青年专家”称号，2011获得中国产学研创新奖个人奖。长期专业从事半导体光电材料与器件的前沿创新性研究，尤其对氮化物材料和光电子器件进行了系统且深入的研究，内容涵盖材料外延生长、结构表征、器件设计、芯片制备、器件应用和半导体照明工程等，取得了一批世界首创、国内领先的研究成果。

研究领域

1. 基于III族氮化物半导体微纳结构的光电子学研究； 2. 基于III族氮化物半导体的发光结构与器件研究； 3. 基于III族氮化物半导体的固体电子学研究； 4. GaN自支撑衬底同质外延技术及其器件研究； 5. Si衬底上的III族氮化物半导体材料与光电子学研究。

近期论文

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The Study on the Droop Effect in the InGaN/AlGaInN MQWs With Lattice-Matched AlGaN/InGaN Superlattices Barrier by Highly Excited Photoluminescence Measurementctions 作者: Jiang, Fulong; Liu, Yaying; Chen, Peng*; 等.IEEE PHOTONICS JOURNAL，卷:10，期:2，文献号: 8200509，APR 2018 Yang, G. F.; Chen, P.*; Wang, M. Y.; et al., Selective epitaxy of InGaN/GaN multiple quantum wells on GaN side facets, PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES Volume: 45 Pages: 61-65 Published: AUG 2012 P. Chen, A. Chen，S. J. Chua, and J. N. Tan，Growth and Optical Properties of Highly Uniform and Periodic InGaN Nanostructures，ADVANCED MATERIALS, (2007)，Vol 19(13), 1707-1710. P. Chen, S. J. Chua, and J. N. Tan, High-density InGaN nanodots grown on pretreated GaN surfaces, APPLIED PHYSICS LETTERS, (2006), 89, 023114. P. Chen, S. J. Chua, Y. D. Wang, M. S. Sander, and C. G. Fonstad, InGaN Nanorings and Nanodots by Selective Area Epitaxy, APPLIED PHYSICS LETTERS, (2005) 87, 143111. P Chen, SJ Chua, WD Wang, DZ Chi, ZL Miao, YD Zheng, Influence Of The Polarization on Interfacial Properties In Al/SiO2/N/Al0.4Ga0.6N/GaN Heterojunction Metal-Insulator-Semiconductor Structures, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, (2003), 94 (7): 4702-4704. Chen Peng, Chua Soo-Jin, Miao Zhonglin and Tripathy Sudhiranjan, “Method and Structure for Fabricating III-V Nitride Layers on Silicon Substrates” Patent application filed on 2 February 2005 in US patent office, granted in 2011 (US 60/648,710; 11/344,472; 7,910,937 B2 ). Chua Soo-Jin, Chen Peng and Takasuka, Eiryo, “Group-III Nitride White Light Emitting Diode”, PCT application filed in Singapore in 2005, granted in 2008 (PCT/SG2005/000099), filed on 10 Dec, 2009 in US patent office (US 2009/0302308 A1 ). Chua Soo-Jin, Chen Peng and Wang Yadong, “Nanostructures and Method of Making the Same”, PCT application filed on 31-Aug-2004 in Singapore, granted in 2007 (PCT/SG2004/000274, WO 2006/025793A1, 130414), published on 1-Mar-06 in Taiwan (TW200607753). Miao Zhonglin, Chen Peng and Chua Soo-Jin “Improved Buffer For Semiconductor Structures”, PCT application field in Singapore in 2003, granted in 2006, (PCT/SG2003/019056, 117438).