个人简介

刘志强，男，博士，研究员，博士生导师。 中国仿真协会集成仿真专委会委员，十二五国家863“重大项目”项目负责人，十三五国家重点研发计划一期子课题负责人，十三五国家重点研发计划二期课题负责人。获2014年国家技术发明二等奖，2012年北京市科学技术奖一等奖，中国科学院人才项目—青年创新促进会第三批会员，三项科研成果通过中国科学院成果鉴定。 先后于吉林大学、南京大学、中科院半导体所、美国北卡州立大学、挪威科技大学从事科研工作。主要从事宽禁带半导体材料、器件，氮化物光电器件，宽禁带/石墨烯交叉领域，氮化物新型器件及产业应用研究，先后主持和参加国家重点研发计划、自然基金、863项目和院属项目等十余项。多项氮化物材料、器件核心指标为国际同期最好水平。近年来合作培养博士生、硕士生12人，其中6人出国继续深造。 围绕GaN材料外延、新型光电器件及氮化物范德华外延开展研究，成果得到国外内科技媒体及诺贝尔奖得主等知名学者的引用和报道。Adv.Mater.、JACS、APL、OL等国内外杂志发表论文110余篇，其中第一作者或通讯作者发表论文61篇，共申请专利40多项，引用近1000次，受邀撰写英文专著两章节。近年来在可见光定位及智能健康光源等创新产业应用领域取得了重要进展。 在研/完成项目： 1、十三五国家重点研发计划二期-200万 2、十三五国家重点研发计划二期-600万 3、十二五863重大项目-《大注入电流密度薄膜结构GaN基LED关键制造技术及检测技术研发》（1360万） 4、科技部国际合作项目-《高效LED照明检测技术与标准化研究》（S2011GR0227）（25万） 5、中国科学院人才计划专项-青年创新促进会（40万） 6、国家自然科学青年基金-InAlN单边量子阱单边量子垒研究（No.61306051）(30万) 7、广东省国际合作项目-25 8、挪威cryanano公司国际合作项目-9万欧

研究领域

1、宽禁带半导体材料、器件 2、氮化物发光器件 3、新型氮化物光电器件 4、纳米结构材料及器件 5、可见光定位导航及智能健康光源产业化技术

近年来以GaN LED量子效率提升技术为主线，围绕GaN材料物性分析、高质量外延及结构设计、新型器件研发、低维发光器件等方向展开研究。近5年共发表SCI论文31篇，其中以第一/通讯作者发表12篇。申请发明专利10项。2012年北京市科学技术一等奖（排名10）,2013年入选中科院青促会。目前主持国家“863”项目1项，自然基金1项，院人才项目1项。是ACS Applied Materials&interfaces, Scientific Reports, APL, OE,OL,JAP等本领域期刊审稿人。

近期论文

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1. ZhaolongChen,ZhiqiangLiu（共同一作）,TongboWei，et.al.ImprovedEpitaxyofAlNFilmforDeep-ultravioletLight-emittingDiodesEnabledbyGraphene,AdvancedMaterials,2019，1807345. 2. ZhiqiangLiu,KeyFactorstoAddresstheIssueofGlobalEnergyandEnvironmentCrisis,ESMater.Manuf.,2019,4,1–1. 3. HainaCi,HongliangChang,RuoyuWang,TongboWei,*YunyuWang,ZhaolongChen,YuanweiSun,ZhipengDou,ZhiqiangLiu(通讯作者),*JinminLi,PengGao,*andZhongfanLiu*，EnhancementofHeatDissipationinUltravioletLight-EmittingDiodesbyaVerticallyOrientedGrapheneNanowallBufferLayer，AdvancedMaterials,2019，1901624. 4. JunjieKang,Hak-JongChoi,FangRen,JinpingAo,HongjianLi,YiLi,WeichuanDu,KunZhou,HaoTan,DaihongHuh,PanpanLi,MengLiang,SongxinGao,ChunTang,XiaoyanYi,HeonLee,andZhiqiangLiu(通讯作者),FabricationofInGaN/GaNnanotubebasedphotoanodeusingnanoimprintlithographyandsecondarysputteringprocessforwatersplitting,Jpn.J.Appl.Phys2019(101433). 5. ZhiqiangLiu*,XiaoyanYi,JunxiWang,IanFerguson,NaLu,JunxiWang,JinminLi,TheoreticalAnalysisandExperimentalRealizationofHighlyEffectiveAcceptorIonizationinGaNviaMgCo-dopedwith4d-Element(In),ESMater.Manuf.,2019,4,25–30. 6. ShaotengWu,LianchengWang,ZhiqiangLiu(通讯作者),XiaoyanYi,YangHuang,ChaoYang,TongboWei，JianchangYan,GuodongYuan,JunxiWangandJinminLi，,UltrafastGrowthofHorizontalGaNNanowiresbyHVPEthroughFlippingtheSubstrate.Nanoscale.2018;10:5888. 7. ShaotengWu,LianchengWang,XiaoyanYi,ZhiqiangLiu(通讯作者),JianchangYan,GuodongYuan,TongboWei,JunxiWangandJinminLi.CrystallographicorientationcontrolandopticalpropertiesofGaNnanowires.RSCAdvances2018;8(4):2181. 8. ZhiqiangLiu,XiaoyanYi,LianchengWang,TongboWei,GuodongYuan，JianchangYan,JunxiWang,JinminLi,YiShiandYongZhang，Impurityresonantstatep-dopinglayerforhigh-efficiencynitride-basedlight-emittingdiodes，Semicond.Sci.Technol.33(2018) 9. InOperandoMicro-RamanThree-DimensionalThermometrywithDiffraction-LimitSpatialResolutionforGaN-basedLight-EmittingDiodes，PHYSICALREVIEWAPPLIED10,034049(2018) 10. FangRen，YueYin,YunyuWang,ZhiqiangLiu(通讯作者)*,MengLiang，HaiyanOu,JinpingAo,TongboWei,JianchangYan,GuodongYuan*,XiaoyanYi*,JunxiWang，andJinminLi，DirectGrowthofAlGaNNanorodLEDsonGraphene-CoveredSi，Materials2018,11,2372; 11. YueYin,FangRen,YunyuWang,ZhiqiangLiu(通讯作者)*,JinpingAo,MengLiang,TongboWei,GuodongYuan,HaiyanOu,JianchangYan*,Xiaoyan*,JunxiWang，andJinminLi*，DirectvanderWaalsepitaxyofcrack-freeAlNthinfilmonepitaxialWS2，Materials2018,11,2464. 12. ChengCheng,YanLei,ZhiqiangLiu(通讯作者),MiaoHe,ZhiLi,XiaoyanYi,JunxiWang,JinminLi,andDepingXiong，Performanceimprovementoflight-emittingdiodeswithdoublesuperlatticesconfinementlayer,JournalofSemiconductors39(11):114005. 13. ShaotengWu,LianchengWang，ZhiqiangLiu(通讯作者),XiaoyanYi,*YunyuWang,ChengCheng,ChenLin,TaoFeng,ShuoZhang,TaoLi,TongboWei,JianchangYan,GuodongYuan,JunxiWangandJinminLi，HorizontalGaNnanowiresgrownonSi(111)substrate:theeffectofcatalystmigrationandcoalescence,Nanotechnology30(2019)045604. 14. ZhiqiangLiu,BingleiFu,XiaoyanYi,etal.RSCAdv.2016;6:5111-5115. 15. ZhiqiangLiu,YangHuang,XiaoyanYi,etal.SciRep.2016;6:32033. 16. ZhiqiangLiu,XiaoyanYi,etalSciRep.2016;6:19537. 17. ZhiqiangLiu,TongboWei,etal,AppliedPhysicsLetts,99,091104(2011); 18. ZhiqiangLiu,Xiaoyanetal,AppliedPhysicsLetts,100,232408(2012); 19. ZhiqiangLiu,JunMaetal,AppliedPhysicsLetts101,261106(2012); 20. ZhiqiangLiu,AndrewG.Melton,etal,AppliedPhysicsExpress6,042104 21. LianchengWang,YanCheng,ZhiqiangLiu,.ACSApplMaterInterfaces.2016;8:1176-1183.(通讯作者) 22. LianchengWang,ZhiqiangLiu(通讯作者)etal,Nanoscale,2017,9,7021 23. ZhiLi,JunjieKang,ZhiqiangLiu(通讯作者)etal,AIPAdvance3,042134(2013) 24. ZhiLi,ZhiqiangLiu(通讯作者)etal,J.Appl.Phys.113,234302(2013).(通讯作者) 25. ZhiLi,JunjieKang,ZhiqiangLiu(通讯作者),etal,J.Appl.Phys.115,083112(2014） 26. JunjieKang,ZhiqiangLiu(通讯作者)etal,AppliedPhysicsExpress6(2013)072102 27. JunjieKang,ZhiLi,ZhiqiangLiu(通讯作者),etal,AIPAdvances3,072121(2013). 28. JunjieKang,ZhiLi,ZhiqiangLiu(通讯作者),etal,JournalofCrystalGrowth,386,15,175(2014). 29. leiyan，ZhiqiangLiu(通讯作者)etal，Appl.Phys.A(2014)115:1115–1119.(通讯作者) 30. LianchengWang,ZhiqiangLiu(通讯作者),EnqingGuo,ACSAppliedMaterials&interfaces.