许恒宇 - 中国科学院大学

个人简介

招生方向碳化硅器件及其可靠性教育背景 2014-04--2017-03 大阪大学博士研究生 2007-04--2009-03 德岛大学硕士研究生 2002-09--2006-07 四川大学本科工作简历 2014-04~2017-03,大阪大学, 博士研究生 2009-04~2011-09,新日本无线株式会社, 研发工程师 2007-04~2009-03,德岛大学, 硕士研究生 2002-09~2006-07,四川大学, 本科专利成果（ 1 ）一种SiC基MOSFET器件P型欧姆接触的制备方法, 发明, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201510751699 X 科研项目（ 1 ）高压大功率碳化硅电力电子器件平台工艺开发与器件研制, 主持, 省级, 2016-01--2017-12 （ 2 ）高压碳化硅器件高温氧化工艺技术研究, 主持, 院级, 2015-01--2017-12 （ 3 ）碳化硅高能高温离子注入关键技术研究, 主持, 院级, 2016-01--2018-12 参与会议（1）Improved electrical properties of 4H-SiC MOS devices with high temperature thermal oxidation Hengyu Xu 2015-09-21

研究领域

碳化硅器件工艺制造及其可靠性测试分析

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（1） Improving interface quality of 4H-SiC MOS devices with high temperature oxidation process in mass produce furnace, Materials Science Forum, 2015, 第 1 作者