李多力 - 中国科学院大学

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学 085400-电子信息招生方向高可靠性器件与集成技术教育背景 2000-09--2003-07 中国科学院微电子研究所硕士学位 1996-09--2000-07 清华大学学士学位工作简历 2003-08~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员 2000-09~2003-07,中国科学院微电子研究所, 硕士学位 1996-09~2000-07,清华大学, 学士学位奖励信息（1） 8Kx8 SOI CMOS SRAM, 二等奖, 部委级, 2009 专利成果（ 1 ）一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构, 2010, 第 4 作者, 专利号: 101562187 B （ 2 ）一种SOI器件结构及其制备方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN 109841561 B （ 3 ）一种N型隧穿场效应晶体管及其制作方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN 108807522 B （ 4 ）一种P型隧穿场效应晶体管及其制作方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN 108807523 B （ 5 ）一种分立器件的版图比对原理图验证方法及装置, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN105844012A （ 6 ）一种绝缘体上硅材料及其抗总剂量辐射的加固方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN 109860097 B （ 7 ）一种SOI MOSFET器件及制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN112054062A （ 8 ）一种串联SOI MOSFET器件结构及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN112054025A （ 9 ）一种体接触SOIMOS器件结构及形成方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN112054060A （ 10 ）基于BSIMIMG的FDSOIMOSFET模型生成方法及装置, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN112052637A （ 11 ）基于BSIMSOI的FDSOIMOSFET器件建模方法及装置, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN112052636A 科研项目（ 1 ） SOI工艺平台先导产品设计与验证1, 主持, 国家级, 2009-01--2013-12 （ 2 ） SOI/CMOS接口电路, 主持, 市地级, 2009-09--2012-12 （ 3 ） 90nm SOI KFZ技术, 主持, 国家级, 2018-01--2019-12 （ 4 ） SOI关键工艺与集成技术研究, 主持, 国家级, 2020-01--2022-12

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（1） A probabilistic analysis technique for single event transient sensitivity evaluation of phase-lock-loops, Microelectronics Reliability, 2019, 第 1 作者（2） Effect of Radiation on Interface Traps of SOI NMOSFETs by the Direct-Current Current-Voltage Technique, IEEE Access, 2019, 第 7 作者（3）一种新型隧穿场效应晶体管, 半导体技术, 2019, 第 3 作者（4） Studies of radiation effects in Al2O3-based metal-oxide-semiconductor structures induced by Si heavy ions, Journal of Applied Physics, 2019, 第 8 作者