丁芃 - 中国科学院大学

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学招生方向射频微波器件与电路集成技术教育背景 2007-09--2011-01 北京航空航天大学工学博士 2004-09--2007-04 北京航空航天大学理学硕士 2000-09--2004-06 北京航空航天大学理学学士工作简历 2016-01~现在, 中国科学院微电子研究所, 高级工程师 2012-10~2015-12,中国科学院微电子研究所, 助理研究员 2010-12~2012-09,中国科学院物理研究所, 博士后科研项目（ 1 ） InP基THz放大器研究, 主持, 国家级, 2018-01--2019-12 （ 2 ） InP基THz宽带功率放大器芯片, 主持, 国家级, 2018-01--2019-12 （ 3 ）太赫兹HEMT器件基础研究, 参与, 国家级, 2015-01--2019-12 参与会议（1）fmax = 521 GHz的InP基In0.52Al0.48As/In0.7Ga0.3As HEMT器件第十三届全国MOCVD学术会议 2014-05-19

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（1） Si3N4/Al2O3 Stack Layer Passivation for InAlAs/InGaAsInP-based HEMTs with Good DC and RF Performances, Journal ofthe Electron Devices Society, 2018, 第 1 作者（2） Comparative study of Si3N4-PECVD and Al2O3-ALD surface passivation in T-shaped gate InAlAs/InGaAs InP based HEMTs, Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics, 2018, 第 2 作者（3） Analysis of passivation techniques in InPHEMTsand implementation of an analytical model of fT based on the small signal equivalent circuit, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 第 2 作者（4） Ultra-thin 20 nm-PECVD-Si3N4 Surface Passivation in T-Shaped Gate InAlAs/InGaAsInP-Based HEMTs and Its Impact on DC and RF Performance, Solid State Electronics, 2016, 第 1 作者（5） fT=260 GHz and fmax=607 GHz of 100 nm-gate In0.7Ga0.3As HEMTs with Gm,max=1441 mS/mm, Journal of Semiconductors, 2016, 第 2 作者（6） fmax = 521 GHz的InP基In0.52Al0.48As/In0.7Ga0.3As HEMT器件, 第十三届全国MOCVD学术会议, 2014, 第 1 作者（7） 100 nm gate length InAlAs/InGaAsInP-based HEMT with fT=249 GHz and fmax=415 GHz, Chinese Physics B, 2014, 第 2 作者