陈朝晖 - 中国科学院大学

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学 080904-电磁场与微波技术招生方向磁性材料与器件毫米波器件与集成电路新型器件与集成技术教育背景 2001-09--2008-12 Northeastern University 博士 1998-09--2001-07 中国科学院微电子研究所硕士 1992-09--1996-07 四川大学学士工作简历 2017-08~现在, 中科院微电子研究所, 研究员 2016-08~2017-07,MetaMagnetics, 首席技术官 CTO 2013-09~2016-07,WD, 工程师 Senior Engineer 2011-01~2014-01,Intel, 科学家 Senior Scientist 2010-01~2010-12,Northeastern University, 项目负责人 Principal Investigator 2009-01~2009-12,Northeastern University, 博士后专利成果（ 1 ） GROWTH OF HIGH QUALITY LOW-LOSS FERRITE MATERIALS ON WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR SUBSTRATES, 发明, 2011, 第 2 作者, 专利号: US 8029921 （ 2 ） ENERGY STORAGE DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SAME, AND MOBILE ELECTRONIC DEVICE CONTAINING SAME, 发明, 2015, 第 3 作者, 专利号: US 9093226 （ 3 ） PARTICLE-BASED SILICON ELECTRODES FOR ENERGY STORAGE DEVICES, 发明, 2016, 第 5 作者, 专利号: US 9484576 （ 4 ） INTEGRATION OF ENERGY STORAGE DEVICES ONTO SUBSTRATES FOR MICROELECTRONICS AND MOBILE DEVICES, 发明, 2016, 第 5 作者, 专利号: US 9245695 （ 5 ） ENERGY STORAGE DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A POROUS STRUCTURE FOR SAME, AND MICROELECTRONIC ASSEMBLY AND SYSTEM CONTAINING SAME, 发明, 2016, 第 3 作者, 专利号: US 9384903 （ 6 ） ENERGY STORAGE STRUCTURE, METHOD OF MANUFACTURING A SUPPORT STRUCTURE FOR SAME, AND MICROELECTRONIC ASSEMBLY AND SYSTEM CONTAINING SAME, 发明, 2016, 第 2 作者, 专利号: US 9409767 （ 7 ） HYBRID ELECTROCHEMICAL CAPACITOR, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: US 9640332 （ 8 ） Ultrafast reliable silicon enabled battery and associated methods, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: US 9859565 （ 9 ） Nanostructured electrolytic energy storage devices, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: US 9928966 （ 10 ） Three dimensional energy storage device, method of manufacturing same, and mobile electronic device containing same, 发明, 2018, 第 5 作者, 专利号: US 9947485 （ 11 ） Energy storage device, method of manufacturing same, and mobile electronic device containing same, 发明, 2018, 第 5 作者, 专利号: US 9978533 科研项目（ 1 ）新型磁性器件的微型化和集成化, 主持, 市地级, 2016-09--2020-12 （ 2 ） ****, 主持, 部委级, 2018-01--2022-12 参与会议（1）Crystallographic texture and magnetic anisotropy and their role in practical microwave ferrite devices 2013-04-15 （2）Selective epitaxial growth of thick Barium ferrite films on wide band gap semiconductor substrates 2010-06-18 （3）Epitaxial Growth of Barium Hexaferrite Films on Wide Band Gap Semiconductor Substrates Towards Microwave Integrated Circuits 2010-01-09 （4）Advanced ferrite materials for next generation microwave devices 2005-09-16

近期论文

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（1） Nanoscale-Driven Crystal Growth of Hexaferrite Heterostructures for Magnetoelectric Tuning of Microwave Semiconductor Integrated Devices, ACS Nano., 2014, 第 2 作者（2） Ferrite Film Growth on Semiconductor Substrates towards Microwave and Millimeter Wave Integrated Circuits, JAP, 2012, 第 1 作者（3） Structure, magnetic, and microwave properties of thick Ba-hexaferrite films epitaxially grown on GaN/Al2O3 substrates, APL, 2010, 第 1 作者（4） High-rate reactive ion etching of barium hexaferrite films using optimal CHF3/SF6 gas mixtures, APL, 2009, 第 1 作者（5） Recent advances in processing and applications of microwave ferrites, JMMM, 2009, 第 7 作者（6） Element- and site-specific oxidation state and cation distribution in manganese ferrite films by diffraction anomalous fine structure, APL, 2008, 第 2 作者（7） Epitaxial growth of M-type Ba-hexaferrite films on MgO (111)/SiC (0001) with low ferromagnetic resonance linewidths, APL, 2007, 第 1 作者（8） Ba-hexaferrite films for next generation microwave devices, JAP, 2006, 第 2 作者

学术兼职

2017-12-23-今,Northeastern Univeristy, 顾问 2017-12-01-今,湖南创一科技股份有限公司, 首席科学家 2011-01-02-今,MetaMagnetics Inc., 首席顾问