个人简介
教育经历
1986.91989.7 吉林省吉林市舒兰矿务局第九中学无
1999.112003.2 德国卡尔斯鲁厄工业大学机械工程（材料方向）博士
1995.91998.6 电子科技大学电子材料与元器件硕士
1989.91993.7 电子科技大学电子材料与元器件学士
工作经历
2010.6至今 大连理工大学材料学院教授
2009.122010.6 德国德累斯顿大学Namlab研究所高级科学家
2007.42009.3 德国Qimonda公司工程师
2004.12007.3 德国卡尔斯鲁厄研究中心科研人员
2003.32003.12 德国卡尔斯鲁厄工业大学博士后
研究领域
高-k电介质薄膜材料与器件
新型铁电薄膜材料与器件
微型超级电容器
超高导电性、原子级表面平滑TiN纳米电极薄膜
近期论文
查看导师最新文章
（温馨提示：请注意重名现象，建议点开原文通过作者单位确认）
[1]彭聪.二氧化硅/环氧/苯并噁嗪三元共聚体系的制备:热学和力学性能[A],第三届中国国际复合材料科技大会,2017,2
[2]戴磊.从高校青年教师的价值取向探索发展党员中的问题与对策[J],法制与社会,2019,31:240-241
[3]李鸿明.电阻率与强度性能的关联及铜合金性能分区[J],物理学报,2019,68(1):205-218
[4]田忠杰.磁控溅射制备大面积原子级平滑超低电阻率TiN薄膜电极[J],功能材料,2021,52(07):7012-7017
[5]李清.纯水基溶胶-凝胶法制备HfO2纳米超薄膜[J],功能材料,2014,16:16111-16115
[6]周方杨.衬底温度对直流反应磁控溅射TiN电极薄膜显微结构及导电性能的影响[J],功能材料,2017,48(8):203-207
[7]周大雨.Si掺杂HfO_2薄膜的铁电和反铁电性质[J],物理学报,2014,63(11):294-298
[8]杨喜锐.钇掺杂量和膜厚对HfO2纳米薄膜相结构的影响[J],功能材料,2017,48(10):10154-10158
[9]劳晓东.锡基合金在模拟土壤溶液中的腐蚀与浸出（英文）[J],Transactions of Nonferrous Metals Society of China,2016,26(02):581-588
[10]赵鹏.厚度对钇掺杂氧化铪薄膜性质的影响[J],中国陶瓷,2019,08:61-65
[11]石志鑫.一阶回转曲线图谱法及其在HfO2基铁电薄膜极化翻转行为研究中的应用[J],物理学报,2021,70(12):352-362
[12]劳晓东.中国电子废弃物现状及回收政策演变[J],周口师范学院学报,2014,31(2):52-55,60
[13]Zhang, Yu.Effects of Hf buffer layer at the Y-doped HfO2/Si interface on ferroelectric characteristics of...[J],CERAMICS INTERNATIONAL,2018,44(11):12841-12846
[14]Yao, Yifan.Experimental evidence of ferroelectricity in calcium doped hafnium oxide thin films[J],JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2019,126(15)
[15]李帅东.HfO2基铁电薄膜在循环电场载荷下的极化翻转行为[J],湘潭大学自然科学学报,2019,41(5):104-120
[16]叶飞.H fO 2铁电相与四方相转变关系的第一性原理研究[J],功能材料,2014,16:16070-16073
[17]Sputtered titanium nitride films with finely tailored surface activity and porosity for high perf...[J],Journal of Power Sources,2021,489(229406)
[18]李帅东.Involvement of Unsaturated Switching in the Endurance Cycling of Si-doped HfO2 Ferroelectric Thin...[J],ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS,2021,6(8):2000264-
[19]Ali, Faizan.Recent Progress on Energy-Related Applications of HfO2-Based Ferroelectric and Antiferroelectri...[J],ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS,2021,2(8):2301-2317
[20]Zhou, Dayu,Mikolajick, T.,Schroeder, U.,Xu, Jin,Heitmann, J.,Jegert, G.,Weinreich, W.,Kerber, M.,Knebel, S.,Erben, E..Reliability of Al2O3-doped ZrO2 high-k dielectrics in three-dimensional stacked metal-insulator...[J],JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2010,108(12)
京公网安备 11010802027423号