个人简介
1983年毕业于黑龙江大学物理系，1988年于吉林大学电子科学与工程系获理学硕士学位，2003年于中国科学院微电子所获工学博士学位。1997年至今在四川大学物理学院工作。
长期从事微电子器件结构设计、物理、工艺、模型及辐射等方面的研究。作为项目负责人或主研人员先后参加了国家重点基础研究发展规划项目，国家自然科学基金，国家重点实验室基金，重点实验室基金项目，博士点基金等多项科研课题。在国内外重要学术期刊上发表论文三十余篇，有多篇论文被送SCI、EI收录和被同行专家引用。以第一发明人获得发明专利一项。
研究领域
1. 化合物半导体器件
2. 新结构半导体器件
3. 微电子器件辐照效应
近期论文
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1. 一种低开启电压砷化镓基异质结双极晶体管，国家发明专利，专利号ZL200310110889.0，受权公告日: 2007.05.02.
2. Self-aligned In0.49Ga0.51P/GaAs HBT DC and RF Characteristics Related with Orientations. Microelectronics Journal, 2004, 35(11): 925-925
3. 100mm InGaP/GaAs HBT及相关电路关键工艺研究.半导体学报, 2005, 26(1): 106-110.
4. 新结构复合收集区InGaP/GaAs异质结双极晶体管结构设计及特性研究.半导体学报, 2004, 25(3): 316-320..
5. 用新的电路形式提高HBT光调制器驱动电路的传输速率及性能. 半导体学报, 2003, 24(5): 534-538.
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