个人简介
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085204-材料工程
招生方向
微电子器件和电路的辐射效应，评估方法，抗辐射加固技术
微电子器件和电路的辐射效应
教育背景
2001-09--2004-06 新疆大学 理学硕士
1980-09--1984-07 新疆大学 理学学士
工作简历
2007-09~现在, 中科院新疆理化所, 研究员
1997-01~2007-08,中科院新疆物理所, 副研究员
1984-11~1996-12,中科院新疆物理所, 助理研究员
教授课程
硅-二氧化硅界面物理 先进半导体材料及器件的辐射效应
奖励信息
（1） Total ionizing dose effects of domestic SiGe HBTs under different dose rates, 一等奖, 省级, 2016
（2） 星用双极器件及模拟电路的低剂量率辐射损伤增强效应研究, 一等奖, 省级, 2015
（3） 电子元器件空间环境电子束辐照效应模拟试验平台及其应用, 一等奖, 省级, 2014
（4） 双极线性稳压器电离辐射剂量率效应及其损伤分析, 二等奖, 省级, 2013
（5） An Accelerated Simulation Method for ELDRS of Bipo, 三等奖, 省级, 2011
专利成果
（ 1 ） 用于纵向NPN晶体管电离辐射损伤的定量测试方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201410172916.5
（ 2 ） 一种用于横向NPN晶体管电离辐射损伤的定量测试方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201410172919.9
科研项目
（ 1 ） 低剂量率评估方法和加固技术研究, 主持, 国家级, 2011-01--2015-12
（ 2 ） 电离总剂量辐射效应评估方法与验证技术研究, 主持, 国家级, 2016-01--2020-12
（ 3 ） 电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子效应的影响机制, 主持, 国家级, 2016-01--2019-12
（ 4 ） 宇航电子元器件环境适应性研究, 主持, 国家级, 2013-01--2015-12
（ 5 ） 基于新型双极测试结构的低剂量率辐照感生缺陷研究, 主持, 国家级, 2010-01--2012-12
近期论文
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（1） Total ionizing dose effects of domestic SiGe HBTs under different dose rates, Chinese Physics C, 2016, 通讯作者
（2） NROM存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性, 核技术, 2015, 第 3 作者
（3） 质子辐射环境下PNP输入双极运算放大器辐照效应与退火特性, 原子能科学技术, 2015, 通讯作者
（4） 电子辐射环境中NPN输入双极运算放大器的辐射效应和退火特性, 物理学报, 2015, 通讯作者
（5） 偏置条件对NPN型锗硅异质结双极晶体管电离辐射效应的影响, 核技术, 2015, 通讯作者
（6） Analysis of functional failure mode of commercial deep sub-micron SRAM induced by total dose irradiation, Chinese Physics B, 2015, 第 4 作者
（7） 深亚微米金属氧化物场效应晶体管及寄生双极晶体管的总剂量效应研究, Radiation effect of deep-submicron metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and parasitic transistor , Acta Phys. Sin, 2014, 通讯作者
（8） Influence of channel length and layout on TID for 0.18μm NMOS transistors, NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2014, 通讯作者
（9） TID effect in 12-bit 125 MSPS Pipe-Line Analog-to-Digital Converter, Journal of Senmiconductors, 2014, 通讯作者
（10） １２位LC2MOS工艺数模转换器总剂量电离辐射效应, 原子能科学技术, 2014, 通讯作者
（11） 变温恒剂量率辐照加速评估方法在双极线性稳压器LM317上的应用, 原子能科学技术, 2014, 通讯作者
（12） 0.18μm MOS差分对管总剂量失配效应研究, 原子能科学技术, 2014, 通讯作者
（13） 双极电压比较器低剂量率辐照损伤增强效应的变温辐照加速评估方法, 原子能科学技术, 2014, 通讯作者
（14） The total dose effects on the 1/f noise of deep submicron CMOS transistors, Journal of Semiconductors, 2014, 第 3 作者
（15） 双极电压比较器电离辐射损伤及剂量率效应分析, Acta Physica Sinica, 2014, 通讯作者
（16） 栅控横向PNP双极晶体管基极电流峰值展宽效应及电荷分离研究, Acta Physica Sinica, 2014, 通讯作者
（17） TID effect in 12-bit 125 MSPS Pipe-Line Analog-to-Digital Converter, Journal of Senmiconductors, 2014, 通讯作者
（18） Total ionizing dose effects on a radiation-induced BiMOS analog-to-digital converter, Journal of Semiconductors, 2013, 通讯作者
（19） PNP输入双极运算放大器在不同辐射环境下的辐射效应和退火特性, Acta Physica Sinica, 2013, 通讯作者
（20） 双极运算放大器在不同电子能量下的辐射效应和退火特性, 原子能科学技术, 2013, 通讯作者
（21） 0.18um窄沟NMOS晶体管总剂量效应, Acta Physica Sinica, 2013, 通讯作者
（22） Total ionizing dose effects on 12-bit CBCMOS digital-to-analog converters, Journal of Semiconductors, 2013, 通讯作者
（23） 双极线性稳压器(LM317)的电离总剂量效应及剂量率的影响, 固体电子学研究与进展, 2013, 通讯作者
（24） X射线对金硅界面剂量增强效应的模拟研究, 核技术, 2013, 通讯作者
（25） Influence of channel length and layout on TID for 0.18μm NMOS transistors, NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2013, 通讯作者
（26） 中带电压法分离栅控横向PNP晶体管辐射感生缺陷, Use the subthreshold-current technique to separate radiation induced defects in gate controlled lateral pnp bipolar transistors, 物理学报，Acta Phys. Sin, 2012, 通讯作者
（27） PNP输入双极运算放大器的辐射效应, Radiation Response of PNP Input Bipolar Operation AMPlifiers, 原子能科学技术, 2012, 通讯作者
（28） 双极电压比较器不同条件下总剂量辐射效应, Total Ionizing Dose Effect of Bipolar Voltage Comparator, 原子能科学技术, 2012, 通讯作者
（29） 典型器件和电路不同剂量率的辐射效应, Radiation effects of the typical devices and circuits for high and , 信息与电子工程, 2012, 第 1 作者
（30） 不同偏置下10位双极模拟转换器高低剂量率的辐射效应, Reaserch on Irradiation Effects of 10 bit Bipolar ADC under Different Electron Energies, 核电子学与探测技术, 2012, 通讯作者
（31） 氧化层厚度对NPN双极管辐射损伤的影响, Effect of oxides thinkness on radiation damage to NPN bipolar transistors, 核技术, 2012, 通讯作者
（32） 栅控横向PNP双极晶体管辐照感生电荷的定量分离, Quantitative separation of radiation induced charges for gate controlled later PNP bipolar transistors, Acta Physica Sinica, 2012, 通讯作者
（33） 在不同偏置下线性稳压器的低剂量率辐射损伤增强效应, The enhanced low dose rate sensitivity of a linear voltage regulator with different biases , Journal of Semiconductors, 2011, 通讯作者
（34） 不同偏置条件下基区掺杂浓度对NPN双极晶体管电离辐照的影响, Radiation effect of various base doping NPN BJTs under different bias Conditions, 核技术, 2011, 通讯作者
（35） 衬底晶向对NPN双极晶体管ELDRS效应的影响, Effects of orientation of substrate on the enhanced low-dose-rate sensitivity (ELDRS) in NPN transistors”, Chinese Physics C, 2011, 第 1 作者
（36） 不同偏置下电流反馈运算放大器的电离辐射效应, Ionizing radiation effects of a current-feedback amplifier under different biases , 原子能科学技术, 2011, 通讯作者
（37） 不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应, Radiation Response of NPN Bipolar Transistors at Various Emitter Junction Bias, 原子能科学技术, 2011, 通讯作者
（38） 双极线性稳压器电离辐射剂量率效应及其损伤分析, Degradation and dose rate effects of bipoiar linear regulator on ionizing radiation, 物理学报，Acta Phys. Sin, 2011, 通讯作者
（39） PNP输入双极运算放大器ELDRS效应的60Coγ辐照高温退火评估方法, Accelerated simulation method for PNP biploar operational amplifiers by γ-irradiation and high temperature annealing, 核技术, 2011, 通讯作者
（40） 不同偏置条件下基区掺杂浓度对NPN双极晶体管电离辐照的影响, Radiation effect of doping and bias conditions on npn bipolar junction transistors, 核技术, 2011, 通讯作者
（41） 10位CMOS模数转换器高低剂量率的辐射效应, Radiation effect of a 10-bit CMOS A/D Converter Under Different Dose Rates, 核电子学与探测技术, 2011, 通讯作者
（42） 10位CMOS模数转换器高低剂量率的辐射效应, Radiation effect of a 10-bit CMOS A/D converter Under Different Dose Rate, 核电子学与探测技术, 2011, 通讯作者
（43） 不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响, The Effect of Different Bias on Low Dose Rate Radiation Response of NPN Bipolar Transistors, 核技术, 2010, 通讯作者
（44） 发射区硼掺杂浓度对横向PNP晶体管高低剂量率辐射损伤的影响, Impact of Doped Boron Concentration in Emitter on High- and Low-Dose-Rate Damage in Lateral PNP Transistors, Journal of Semiconductors, 2010, 通讯作者
（45） 正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器, Radiation damage to working or zero-biased JFET-input operational amplifiers, 核技术, 2010, 通讯作者
（46） 10位双极A/D转换器的电离辐射效应, Ionizing radiation effect on 10-bit bipolar A/D converter, NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2010, 通讯作者
（47） 工艺条件对双极晶体管ELDRS效应的影响, Impact of process technologies on ELDRS of bipolar transistors, 原子能科学技术, 2010, 第 1 作者
（48） 线性稳压器不同偏置下电离总剂量及剂量率效应, Total Dose and Dose Rate Effects of a linear Voltage Regulator with different bias, 原子能科学技术, 2010, 通讯作者
（49） 不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应, Radiation Effect of NPN BJTs Under Various Base Doping Conditions, 原子能科学技术, 2010, 通讯作者
（50） 不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应, Radiation Effects of a 10-bit CMOS Analog to Digital Converters under Different Bias Conditions, 原子能科学技术, 2010, 通讯作者
（51） 三端稳压器的总剂量效应, Total dose effect of three-terminal regulators, 核技术, 2010, 通讯作者
学术兼职
2016-01-01-2020-12-31,第五届新疆核学会理事,
2012-01-01-今,宇航电子元器件辐射效应评估联合实验室学术委员会委员 ,
2010-10-01-今,第四届新疆核学会理事,
2009-01-01-2013-12-31,第一届新疆电子信息与材料重点实验室学术委员会委员,
2008-10-01-今,第六、七届中国电子学会可靠性分会委员,
2008-09-01-今,新疆大学兼职教授, 教授
京公网安备 11010802027423号