个人简介
个人简介：
2014年国家公派联合培养博士（美国伊利诺伊理工大学），2016年获湖南大学电气工程博士学位，现为重庆大学电气工程学院教师。
目前从事新型硅基、宽禁带电力电子器件，电力电子器件的封装与模块以及电力电子装置应用研究，应用领域包括新能源发电、输变电、电能质量，轨道交通、冶金化工、新能源汽车、工业电机节能和国防等。
近几年来，发明了国际领先的高压大功率高速、高电流密度和高可靠性IGBT以及二极管、晶闸管等新型电力电子器件，并获多项发明专利；发表了国际顶级、国际权威、国际高水平期刊和会议论文十余篇；主持国家自然科学基金项目1项、中央高校基本科研业务费专项2项，参与国家重点研发计划、863计划、国家国际科技合作专项、国家自然科学基金等多项。
研究项目：
1、国家自然科学青年基金，新型高压大功率碳化硅肖特基势垒IGBT的载流子输运与调控机理研究，2018/1-2020/12，主持；
2、中央高校基本科研业务费专项，新型大功率直流供电用AC/DC变流器的研究，主持；
3、中央高校基本科研业务费专项，宽禁带电力电子器件的电磁输运机理与调控方法研究，主持；
4、国家863项目，新型超大功率场控电力电子器件的研制及其应用，参与；
5、国家国际科技合作专项，超大功率电力电子器件及系统关键技术研究，参与；
6、国家自科基金，整晶圆特大容量IGBT器件研究，参与；
7、国家自科基金，新型电能质量调节与故障限流复合系统关键技术研究，参与；
8、国家自科基金，智能电网中宽频域谐波及其谐振问题与对策研究，参与。
研究领域
研究领域：
1、硅基、宽禁带电力电子器件及其可靠性
2、电力电子变流器及装置应用
近期论文
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部分论文：
[1]Mengxuan Jiang, Shen, Z. J., Simulation Study of An Injection Enhanced Insulated Gate Bipolar Transistor with P-Base Schottky Contact, IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 63(5):1991-1995
[2]Mengxuan Jiang, Xin Yin, Zhikang Shuai, Jun Wang, Shen, Z. J. An Insulated Gate Bipolar Transistor With a Collector Trench Electron Extraction Channel, IEEE Electron Device Letter, 2015, 36(9):935 -937
[3]Mengxuan Jiang, Z. J. Shen, J. Wang, Z. Shuai, X. Yin. Simulation Study of An Insulated Gate Bipolar Transistor with Pinched-off N-type Pillar, IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2016, 4(3):144-148
[4]Zhenyu Miao, Gourab Sabui, Aozhu Chen, Yan Li, Z. John Shen, Jun Wang, Zhikang Shuai, An Luo, Xin Yin, Mengxuan Jiang. A self-powered ultra-fast DC solid state circuit breaker using a normally-on SiC JFET, 2015 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), Charlotte, NC, 2015: 767-773
[5]Jiang Mengxuan, Z. John Shen, Wang Jun, Shuai Zhikang, Yin Xin, Sun Bingbing, Liao Linyuan. An Insulated Gate Bipolar Transistor with Surface N-type Barrier, Journal of Semiconductor, 2015, 36(12):124004.1-124004.6
[6]Jiang Mengxuan, Z. John Shen. A High-Conductivity Insulated Gate Bipolar Transistor with Schottky Hole Barrier Contact, Journal of Semiconductor, 2016, 37(2): 100002.1-100002.5
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