梁骏吾 - 中国科学院半导体研究所 -

个人简介

梁骏吾, 半导体材料学家。1933年9月生于武汉。1955年毕业于武汉大学。1956—1960年在苏联科学院冶金研究所从事高纯半导体硅单晶研究，1960年获副博士学位。1960—1970年在中国科学院半导体研究所从事高纯区熔硅单晶、砷化镓液相外延、硅气相外延、SiO2隔离膜生长和多晶硅生长的研究，1970—1978年在宜昌半导体厂从事半导体集成电路的研制和生产。1978年至今，在中国科学院半导体研究所研究大规模集成电路用硅单晶、掺氮中子嬗变硅单晶、超高速电路用外延技术、MOCVDAlGaAs/GaAs量子阱材料及半导体中杂质与缺陷的行为。近年来主要研究领域为SiC外延生长和GaN基材料的生长。1990年获国家级有突出贡献中青年专家称号。1997年当选为中国工程院院士。

研究领域

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高纯区熔硅单晶、砷化镓液相外延、硅气相外延、SiO2隔离膜生长和多晶硅生长的研究

学术兼职

中国工程院院士