个人简介
个人简介：
郑雪峰，博士、教授。2001年、2004年分别获得西安电子科技大学微电子学与固体电子学学士、硕士学位。2010年获英国利物浦约翰摩尔大学博士学位。2010年回西安电子科技大学工作，先后晋升为副教授、教授职称。
先后在半导体器件缺陷表征、新型宽禁带半导体器件及可靠性方面做出了重要的研究成果。开发了双脉冲CV、多脉冲IV缺陷表征技术，结合缺陷表征理论，国际上首次实现了高k材料内缺陷能级位置的完整表征，解决了原有缺陷表征方法表征范围窄的难题，为器件可靠性的提高提供了技术支撑。相关工作发表在IEEETrans.ElectronDevices、IEEEElectronDeviceLetters、InternationalElectronDeviceMeeting等业内国际顶级期刊杂志上。针对氮化镓器件产业化遇到的难题，从器件结构、工艺创新等角度，重点解决了器件高电压下退化严重、一致性差等问题，使我校成为国内唯一一家具备氮化镓器件小批量生产能力的高校。制定了我国第一部GaN微波功率器件的详细规范，为我国GaN器件提供了国家标准。关键技术已经进行了应用，实现了产业化转移，累计经济效益逾千万元，为我国在该领域突破国外核心技术封锁起到了重要作用。
近五年来，本人承担国家自然科学基金面上项目、国家自然科学基金青年项目、国家科技重大专项子课题、国家重点研发计划课题等共10余项，可支配经费一千余万元。先后获得国家科技进步奖一等奖、国家教学成果奖一等奖、陕西省科学技术进步奖一等奖、教育教学成果特等奖等5项。
科学研究
目前研究团队承担的科研项目：
1.国家自然科学基金青年项目
2.国家自然科学基金面上项目
3.国家自然科学基金重点项目
4.国家科技重大专项
5.国家科技重大研发计划
6.国家863、973项目
7.多项横向项目
经费充足，期待志同道合者一起努力！
学术论文
在IEEETrans.ElectronDevices、IEEEElectronDeviceLetters、IEDM、INFOS、ChinesePhysicsB等国际国内期刊会议上发表论文30余篇，申请专利10余项，负责了国家第三代半导体GaN器件详细规范的制定。
荣誉获奖
1.国家科技进步奖一等奖（2019）
2.国家教学成果奖一等奖（2018）
3.陕西省科学技术奖一等奖（2016）
4.陕西省科学技术奖一等奖（2015）
5.陕西省教育教学成果奖特等奖（2015）
6.西安电子科技大学优质教学质量奖金奖（2014/2015）
科研团队
研究生
范爽孙伟伟张颖
张建坤康迪田琳
李小炜吴银河申越张建亚戴峰
王颖哲王奥琛文浩宇梅思宇
董帅帅白丹丹王士辉吉鹏李纲田鑫
常雪婷陈管君陈轶昕逯锦文朱甜李青峰王颖哲(博)
陈安帅唐振凌张豪龚星星李渝刘志远翟世杰王小虎(博)
淡一涛翟心雨陈勋王保才郑伟杰朱甜(博)
课程教学
1.《数值计算方法》
2.《集成电路可靠性》
招生要求
关于2019年的研究生招生的信息：
1.计划每年招收5名硕士研究生，2名博士研究生，名额充足。
2.对学生的期望：勤奋、努力、上进心强。
3.动手能力强，或参加过竞赛，或英语好的学生优先考虑；愿意攻读博士学位的学生优先考虑。
梦想成就现实！
研究领域
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（温馨提示：请注意重名现象，建议点开原文通过作者单位确认）
1．宽禁带半导体材料与器件
2．半导体器件可靠性研究
3.半导体光电器件与探测器
4.新型半导体存储器件
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