个人简介

招生专业 0805Z2-半导体材料与器件 招生方向 集成电路材料 教育背景 1992-09--1999-05 University of Utah 博士 1987-09--2020-07 清华大学 工学学士 工作简历 2019-02~现在, 中科院上海微系统与信息技术研究所, 研究员 2006-04~2017-01,Entegris Inc., Sr. Principal Scientist 2005-05~2006-03,中芯国际集成电路制造有限公司, 助理处长 2003-04~2004-10,中芯国际集成电路制造有限公司, 助理处长 1996-06~2003-04,Micron Technology, Inc., Sr. Engineer Lead 1992-09~1999-05,University of Utah, 博士 1987-09~2020-07,清华大学, 工学学士 专利成果 （ 1 ） 高通量气相沉积设备及气相沉积方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: 201910759403.7 （ 2 ） 高通量薄膜沉积设备与沉积工艺, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201910734707.8 （ 3 ） USING METAL GATE FIRST METHOD TO BUILD THREE DIMENSIONAL NON-VOLATILE MEMORY DEVICES, 2019, 第 1 作者, 专利号: US APP No.16/517,600 （ 4 ） Ferroelectric Oxide Memory Devices, 2019, 第 1 作者, 专利号: US App No. 16/517,598 （ 5 ） HIGH POWER LITHIUM ION BATTERY AND THE METHOD TO FORM, 2019, 第 1 作者, 专利号: US App No. 20200212477 （ 6 ） Need for Si3N4 Selective Removal by Wet Chemistry, 2020, 第 1 作者, 专利号: PCT/US19/097 （ 7 ） COATINGS FOR ENHANCEMENT OF PROPERTIES AND PERFORMANCE OF SUBSTRATE ARTICLES AND APPARATUS, 2019, 第 3 作者, 专利号: US App No 20190100842 （ 8 ） In-situ oxidized NiO as electrode surface for high k MIM device, 2019, 第 2 作者, 专利号: US 10,475,575 （ 9 ） ALD processes for low leakage current and low equivalent oxide thickness BiTaO films, 2019, 第 3 作者, 专利号: US 10,186,570 （ 10 ） Precursors for silicon dioxide gap fill, 2018, 第 5 作者, 专利号: US 10,043,658 （ 11 ） Fluorine free tungsten ALD/CVD process, 2017, 第 1 作者, 专利号: US 9,637,395 （ 12 ） Silylene compositions and methods of use thereof, 2016, 第 4 作者, 专利号: US 9,443,736 （ 13 ） Precursors for silicon dioxide gap fill, 2016, 第 5 作者, 专利号: US 9,337,054