个人简介
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080902-电路与系统
080804-电力电子与电力传动
招生方向
纳米器件及电路的辐射效应
高可靠器件工艺及设计加固新方法
高可靠新型非易失存储器技术
教育背景
2008-08--2012-05 法国里昂国立应用科学院 博士
2005-09--2008-01 北京交通大学 硕士
2001-09--2005-07 北京交通大学 本科
工作简历
2020-11~现在, 中国科学院微电子研究所,硅器件中心, 副主任
2020-08~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
2016-06~2016-09,法国国家科学院, 访问学者
2016-01~2020-08,中国科学院微电子研究所, 副研究员
2012-10~2016-01,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
奖励信息
（1） 中国科学院青年创新促进会优秀会员, 院级, 2020
（2） 十佳先进工作者, 研究所（学校）, 2019
（3） 研究生喜爱的导师, 研究所（学校）, 2019
（4） 研究生喜爱的导师, 研究所（学校）, 2018
（5） 微电子所第二届“科研新星”, 一等奖, 研究所（学校）, 2015
专利成果
（ 1 ） 带隙基准电压产生装置, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201711138757.7
（ 2 ） 一种抗辐射带隙基准电路的加固方法, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201711137437.X
（ 3 ） 一种可检真空度的真空玻璃及系统, 发明, 2019, 第 4 作者, 专利号: 201811442545.2
（ 4 ） 一种单光子光源的制备方法及元器件, 发明, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201811423197.4
（ 5 ） 一种SOI器件结构及其制备方法, 发明, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910011391X
（ 6 ） 一种SOI器件结构及其制备方法, 发明, 2019, 第 2 作者, 专利号: 2019100113939
（ 7 ） 一种SOI器件结构及其制备方法, 发明, 2019, 第 2 作者, 专利号: 2019100114062
（ 8 ） 一种绝缘体上硅材料及其抗总剂量辐射的加固方法, 发明, 2019, 第 5 作者, 专利号: 2018116183621
（ 9 ） SOI器件及其制作方法, 发明, 2019, 第 5 作者, 专利号: 2018114569868
（ 10 ） 一种多通路供电寄生电源以及通信系统, 发明, 2020, 第 3 作者, 专利号: 202010463256.1
（ 11 ） 基于BSIMSOI的FDSOI MOSFET器件建模方法及装置, 发明, 2020, 第 4 作者, 专利号: 202010892603.2
（ 12 ） 基于BSIMIMG的FDSOI MOSFET模型生成方法及装置, 发明, 2020, 第 4 作者, 专利号: 202010892877.1
（ 13 ） 一种单光子光源的制备方法及元器件, 发明, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN201811423197.4
（ 14 ） 一种抗辐射带隙基准电路的加固方法, 发明, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN201711137437.X
（ 15 ） 一种闪存存储电路的抗总剂量辐照加固方法, 发明, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN201710542438.6
（ 16 ） 一种SOI器件结构及其制备方法, 发明, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN201910011393.9
发表著作
（1） 非易失自旋集成电路技术, Spin Transfer Torque (STT) Based Devices, Circuits and Memory, 电子工业出版社, 2019-01, 第 3 作者
（2） 抗辐射集成电路设计, Integrated Circuit Design for Radiation Environments, 国防工业出版社, 2020-12, 第 2 作者
（3） 可靠性物理与工程--失效时间模型 第三版, Reliability Physics and Engineering Time-To-Failure Modeling (Third Edition), 国防工业出版社, 2020-12, 第 2 作者
科研项目
（ 1 ） SOI 工艺带隙基准损伤机理及加固方法研究, 主持, 部委级, 2014-10--2017-12
（ 2 ） 20M SRAM 项目, 参与, 国家级, 2016-01--2019-01
（ 3 ） 堆叠纳米线围栅器件的辐射损伤机理及在线增强自修复机制研究, 主持, 国家级, 2019-01--2022-12
（ 4 ） 新一代抗辐射材料与器件, 主持, 市地级, 2019-01--2020-12
（ 5 ） XXX材料、器件与集成电路技术研究, 主持, 国家级, 2019-12--2022-12
（ 6 ） SOI FinFET新结构器件研究, 主持, 国家级, 2019-06--2020-12
（ 7 ） 单总线接口型存储器, 主持, 国家级, 2018-09--2021-09
（ 8 ） 纳米级半导体器件的综合辐射效应研究, 主持, 国家级, 2020-01--2021-12
（ 9 ） 新型半导体器件的综合辐射效应研究, 主持, 部委级, 2019-12--2021-12
（ 10 ） 晶圆级单晶二维层状半导体材料制备及相关高性能异质结构器件集成, 参与, 部委级, 2019-09--2024-08
（ 11 ） 中国科学院青年创新促进会优秀会员, 主持, 部委级, 2021-01--2023-12
（ 12 ） 新型SOI工艺器件抗辐射加固及评估技术研究, 主持, 研究所（学校）, 2020-07--2022-06
（ 13 ） 空间复合应力场下碳纳米管器件特性研究, 参与, 国家级, 2020-01--2022-12
（ 14 ） 三维单片集成组合电路软错误研究, 参与, 部委级, 2020-01--2021-12
（ 15 ） 典型器件辐射损伤协同效应仿真技术, 参与, 院级, 2020-01--2021-12
参与会议
（1）Dependency of Temperature and Back-gate Bias on Single Event Upset Induced by Heavy Ion in a 0.2 μm DSOI CMOS Technology 2021-07-01
（2）Single-event Induced Failure Mode of PWM in DC/DC Converter 2020-10-01
（3） Two-dimensional Electrostatic Potential Model for Total Dose Ionization Effects in FOI FinFETs 2020-07-01
（4）An SEU (Single-event Upset) Mitigation Strategy on Read-Write Separation SRAM Cell for Low Power Consumption 2020-06-24
（5）Radiation Effects on the Static and Dynamic Characteristics of 850 nm 10 GHz GaAs Based Vertical Cavity Surface Emitting Lasers 2020-06-18
（6）Generated Quantum Emitters in Hexagonal Boron Nitride via High Energy Ion Irradiation 2020-06-05
（7）Radiation-induced Degradations in FinFET Devices with Hafnium-based Dielectric using Multiple-scale Characterization 2020-04-01
（8）Double-gate SOI: A promising candidate for high reliable microelectronics 2020-03-01
（9）The soft errors in the microelectronic devices for high reliable applications 2019-12-01
（10）Towards a Characterization of Vulnerability of XCR4C ASIC on Heavy-Ion Induced Transient Events 2019-09-01
（11）Impact of Total Ionizing Dose on the Threshold Voltage of FOI FinFET with a Property of Tunable Interface Defects 2019-07-08
（12）Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs 2018-10-01
（13）堆叠纳米线围栅器件的辐射与自加热协同效应仿真研究 第三届全国辐射物理学术交流会CRPS2018 2018-07-21
（14）The dependence of single event effect on heavy ion angular irradiation by Geant4 simulation 2018-05-17
（15）Anomalous Total Dose Response and Room-Temperature Annealing Behavior in Bulk nFinFETs 2017-10-02
（16）An Effective Method to Compensate TID Induced Degradation on DSOI Structure 2017-10-01
（17）The current observer design for buck converter 2016-09-28
（18）An SEE Prognostic Cell Embedded Rad-hard Digital Controller for Next Generation DC-DC Converter in Space 2015-07-09
（19）A Digital Direct Controller for Buck Converter 2014-10-08
（20）An FPGA Prototype of Current and Voltage Predictive Controller for High Switching Frequency Buck Converter 2012-10-25
（21）MASH Δ-Σ DPWM Based Sliding-mode Controller Dedicating to High Frequency SMPS 2011-08-30
（22）Design and Implementation of the Digital Controller for Boost Converter based on FPGA 2011-06-27
近期论文
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（1） Comparison of X-Ray and Proton Irradiation Effects on the Characteristics of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Light-Emitting Diodes, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2020, 通讯作者
（2） Study on Degradation Mechanisms of Thermal Conductivity for Confined Nanochannel in Gate-All-Around Silicon Nanowire Field-Effect Transistors, IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 第 5 作者
（3） Single-event induced Failure Mode of PWM in DC/DC Converter, Microelectronics Reliability, 2020, 通讯作者
（4） Single Event Upset for Monolithic 3-D Integrated 6T SRAM based on a 22nm FD-SOI Technology: Effects of Channel Size and Temperature, Microelectronics Reliability, 2020, 第 3 作者
（5） A Comparison Study on Electromagnetic Susceptibility of Current Reference Circuits with Scaling-down Technologies and Schemes, Microelectronics Reliability, 2020, 第 5 作者
（6） SPICE Compact BJT, MOSFET and JFET Models for ICs Simulation in the Wide Temperature Range (from -200∘C to +300∘C), IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 2020, 其他（合作组作者）
（7） Mechanism Analysis of Proton Irradiation-Induced Increase of 3-dB Bandwidth of GaN-Based Microlight-Emitting Diodes for Space Light Communication, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2020, 通讯作者
（8） Design and Characterizations of the Radiation-Hardened XCR4C ASIC for X-Ray CCDs for Space Astronomical Applications, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2020, 通讯作者
（9） High Radiation Resistance of CsPbBr3 Nanoscale Lasers for Space Applications, ACS Applied Nano Materials, 2020, 第 3 作者
（10） 考虑背栅偏置的FOI FinFET电流模型研究, 半导体技术, 2020, 第 3 作者
（11） FinFET总剂量效应研究进展, 微电子学, 2020, 第 2 作者
（12） X-ray Irradiation Induced Degradation in Hf0.5Zr0.5O2 FDSOI nMOSFETs, Rare Metals, 2020, 通讯作者
（13） Radiation Hardness and Abnormal Photoresponse Dynamics of CH3NH3PbI3 Perovskite Photodetector, Journal of Materials Chemistry C, 2020, 第 3 作者
（14） Comparison of 10 MeV Electron Beam Radiation Effect on InGaN/GaN and GaN/AlGaN Multiple Quantum Wells, Journal of Luminescence, 2019, 第 2 作者
（15） Total ionizing dose effects on graphene-based charge-trapping memory, Sci. China Inf. Sci., 2019, 第 4 作者
（16） Total ionization dose and single event effects of a commercial stand-alone 4 Mb resistive random access memory (ReRAM), Microelectronics Reliability, 2019, 第 2 作者
（17） Total ionizing dose effects of γ and X-rays on 55 nm silicon-oxide-nitride-oxide-silicon single flash memory cell, Acta Physica Sinica., 2019, 第 5 作者
（18） X射线和重离子辐射对GaN基发光二极管光学特性的影响, 微处理机, 2019, 第 2 作者
（19） Comparison of 10 MeV electron beam radiation effect on InGaN/GaN and GaN/AlGaN multiple quantum wells, Journal of Luminescence, 2019, 第 2 作者
（20） Studies of radiation effects in Al2O3-based metal-oxide-semiconductor structures induced by Si heavy ions, Journal of Applied Physics, 2019, 通讯作者
（21） Point-Defect Distribution and Transformation Near the Surfaces of AlGaN Films Grown by MOCVD, The Journal of Physical Chemistry C, 2019, 第 3 作者
（22） A Probabilistic Analysis Technique for Single Event Transient Sensitivity Evaluation of Phase-Lock-Loops, Microelectronics Reliability, 2019, 第 6 作者
（23） Comparison of the Total Dose Responses of Fully Depleted SOI nMOSFETs With Different Geometries for the Worst Case Bias Conditions, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2019, 通讯作者
（24） Influence of curvature induced stress on first principle calculation and the reliability of 4H-SiC (0001) thermally grown SiO2 gate oxide, Microelectronics Reliability, 2019, 第 3 作者
（25） Si离子辐照下Al2O栅3介质的漏电机制, 半导体技术, 2019, 第 5 作者
（26） Study on the Thermal Conductivity Characteristics for Ultra-Thin Body FD SOI MOSFETs Based on Phonon Scattering Mechanisms., Materials, 2019, 第 4 作者
（27） Effect of Radiation on Interface Traps of SOI NMOSFETs by the Direct-Current Current-Voltage Technique, IEEE Access, 2019, 第 3 作者
（28） Proton and light ions induced SEU effect in a SOI SRAM with gold plated lid, Microelectronics Reliability, 2019, 第 3 作者
（29） Total ionizing dose and single event effects of 1 Mb HfO2-based resistive-random-access memory, Microelectronics Reliability, 2018, 第 4 作者
（30） Constant voltage stress characterization of nFinFET transistor during total ionizing dose experiment, Microelectronics Reliability, 2018, 第 4 作者
（31） Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs, Microelectronics Reliability, 2018, 第 1 作者
（32） A single event upset tolerant latch design, Microelectronics Reliability, 2018, 第 9 作者
（33） Total dose effect of Al2O3-based metal–oxide–semiconductor structures and its mechanism under gamma-ray irradiation, Semiconductor Science and Technology, 2018, 通讯作者
（34） Studies of radiation effects in Al2O3-based MOS structures induced by Si heavy ions, Journal of Applied Physics, 2018, 通讯作者
（35） Impact of γ-ray irradiation on graphene nano-disc non-volatile memory, Applied Physics Letters, 2018, 第 4 作者
（36） Total ionizing dose effects and annealing behaviors of HfO2-based MOS capacitor, Science China Information Sciences, 2018, 第 5 作者
（37） 体硅nFinFET总剂量效应三维TCAD仿真研究, 微电子学与计算机, 2018, 通讯作者
（38） An Effective Method to Compensate TID Induced Degradation on DSOI Structure, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2018, 通讯作者
（39） Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs with On-state Bias Irradiation, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2018, 通讯作者
（40） A digital dual-modulation control for single-phase UPS inverters, International Journal of Electronics, 2018, 通讯作者
（41） Single-Event Burnout Hardening of Planar Power MOSFET with Partially Widened Trench Source, Journal of Semiconductors, 2018, 第 5 作者
（42） Modeling the threshold voltage variation induced by channel random dopant fluctuation in fully depleted silicon-on-insulator MOSFETs, Japanese Journal of Applied Physics, 2018, 第 5 作者
（43） 极端低温下SiGe HBT器件研究进展, 微电子学, 2017, 通讯作者
（44） A new type of magnetism-controllable Mn-based single-molecule magnet, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2017, 第 4 作者
（45） Total ionizing radiation-induced read bit-errors in toggle magnetoresistive random-access memory devices, Chinese Physics B, 2017, 第 4 作者
（46） Superjunction nanoscale partially narrow mesa IGBT towards superior performance, Chinese Physics B, 2017, 第 5 作者
（47） Numerical simulation and experiments on mono-polar negative corona discharge applied in nanocomposites, IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation, 2017, 通讯作者
（48） Synthesis of monoclinic structure gallium oxide film on sapphire substrate by magnetron sputtering, Optoelectronics Letters, 2017, 第 9 作者
（49） A controllable synthesis of uniform MoS2 monolayers on annealed molybdenum foils, Materials Letters, 2017, 其他（合作组作者）
（50） 基于PDSOI的锁相环电路单粒子瞬变敏感性研究, 微电子学与计算机, 2017, 第 4 作者
（51） 应用于Buck电路的滑模算法研究, 微电子学, 2017, 通讯作者
（52） Effect of cryogenic temperature characteristics on 0.18-μm silicon-on-insulator devices, Chinese Physics B, 2016, 通讯作者
（53） 极端低温下硅基器件和电路特性研究进展, 微电子学, 2015, 第 3 作者
（54） 锁相环敏感模块的单粒子效应与设计加固, 半导体技术, 2015, 通讯作者
（55） 一种基于标准CMOS工艺实现的锁相环电路, 电子设计工程, 2015, 第 3 作者
（56） Digital Controller Candidate for Point-of-load Synchronous Buck Converter in Tri-mode Mechanism, Journal of Power Electronics, 2014, 第 3 作者
（57） A Digital Dual-State-Variable Predictive Controller for High Switching Frequency Buck Converter With Improved Sigma-Delta DPWM, IEEE Transactions on Industrial Informatics, 2012, 第 1 作者
（58） Low Power Digital Alternative to Analog Control of Step-Down Converter, Journal of Low Power Electronics, 2012, 第 1 作者
学术兼职
2021-01-01-今,十四五高技术领域, 指南专家
2021-01-01-今,中国科学院青年创新促进会, 优秀会员
2020-12-01-今,微电子研究所研究生培养指导委员会, 委员
2020-12-01-今,中国科学院硅器件技术重点实验室, 副主任
2020-11-01-今,高技术领域, 项目评审专家
2020-01-01-今,《现代应用物理》, 青年编委
2018-10-01-今,中国核学会辐射物理分会, 会员
2016-01-01-2020-01-01,中国科学院青年创新促进会会员, 会员
京公网安备 11010802027423号