李彬鸿 - 中国科学院大学

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学 085400-电子信息招生方向高可靠集成电路教育背景 2008-09--2011-12 法国国立应用科学学院博士 2005-09--2008-07 法国格勒诺布尔大学硕士 2001-09--2005-07 复旦大学本科工作简历 2008-09~2011-12,法国国立应用科学学院, 博士 2005-09~2008-07,法国格勒诺布尔大学, 硕士 2001-09~2005-07,复旦大学, 本科专利成果（ 1 ）一种SOI器件结构及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: 201910011391.X （ 2 ）一种SOI器件结构及其制备方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: 201910011393.9 （ 3 ）一种环形振荡器, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201621371632X （ 4 ）一种热阻获取方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN201610632860.6 科研项目（ 1 ）宇航环境下累积损伤对SOI工艺集成电路电磁兼容性的影响, 主持, 国家级, 2013-01--2015-12 （ 2 ）一种新型SOI工艺器件和电路, 主持, 国家级, 2013-01--2016-12 （ 3 ） CSOI器件与电路, 主持, 国家级, 2020-01--2023-12 （ 4 ） SOI CMOS工艺集成电路电磁敏感度研究, 主持, 市地级, 2015-01--2017-12

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（1） Radiation Hardening Using Back-gate Bias in Double-SOI Structure, NSREC国际会议, 2021, 通讯作者（2） Single-event induced failure mode of PWM in DC/DC converter, Microelectronics Reliability, 2020, 通讯作者（3） A comparison study on electromagnetic susceptibility of current reference circuits with scaling-down technologies and schemes, Microelectronics Reliability, 2020, 第 2 作者（4） ime-Domain Experimentation of NGD Active RC-Network Cell, IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS, 2019, 通讯作者（5） Negative Group Delay Theory of a Four-Port RC-Network Feedback Operational Amplifier, IEEE ACCESS, 2019, 通讯作者（6） Proton and light ions induced SEU effect in a SOI SRAM with gold plated lid, Microelectronics Reliability, 2019, 通讯作者（7） An Effective Method to Compensate Total Ionizing Dose Induced Degradation on Double-SOI Structure, Trans. on Nuclear Science, 2018, 通讯作者（8） Essential effects on the mobility extraction reliability for organic transistors, Advanced Functional Materials, 2018, 通讯作者（9） The total dose response of a DSOI 4Kb SRAM, Microelectronics Reliability, 2017, 第 1 作者