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个人简介

女,1981年3月生,蒙古族,内蒙古赤峰市人,博士,副教授,硕士生导师。现就职于理学院物理系物理电子学学科,已指导毕业硕士生4人,现在读硕士2人。 1999-2003年就读于内蒙古师范大学物理系物理学专业,获理学学士学位;2003-2008年就读于内蒙古大学理论物理专业,获得理学博士学位。 2.主讲课程 【1】本科生课程:大学物理、理论物理导论等 【2】研究生课程:量子力学、半导体材料设计等 5.科研项目 A.主持的项目 【1】内蒙古自然科学基金项目“GaN基核壳结构纳米线中的束缚电子态和带间跃迁特性研究”,主持人,(进行中) 【2】教育部春晖计划项目“应变半导体异质结构电子的动力学分析”,主持人,(已完成) 【3】内蒙古自然科学基金项目“氮化物应变量子阱结构中电子态”,主持人,(已结项) B.参与的项目 【4】国家自然科学基金项目“择优位向(Al,Ga,In)和N共掺对ZnO光电性能影响的研究” 6.获得奖励 【1】2012年,内蒙古自治区优秀研究生指导教师。 【2】2014年,高等教育自治区级教学成果奖二等奖。

研究领域

【1】功能材料的量子力学计算

近期论文

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【1】Liu Zhaoxu, Zhu Jun, Ha Sihua, Intersubband transitions in asymmetric quantum wells with external electric field, Applied Mechanics and Materials, 525, 170-176, 2014 【2】Ha Sihua, Ban Shiliang, Zhu Jun, Intersubband absorption in strained AlGaN/GaN double quantum wells, Physica B, 406, 3640-3645, 2011 【3】Ha Sihua, Ban Shiliang, Zhu Jun, Quantum confined Stark effect on intersubband transitions in strained wurtzite nitride quantum wells, Modern Physics Letters B, 25(22), 1847-1854, 2011 【4】Ha Sihua, Ban Shiliang, Zhu Jun, Screened excitons in strained wurtzite AlxGa1−xN/GaN/AlyGa1−yN quantum wells, Physica Status Solidi C, 8(1), 34-37, 2011 【5】Ha Sihua, Ban Shiliang, Zhu Jun, Binding energies of shallow impurities in asymmetric strained wurtzite AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN quantum wells, Journal of Semiconductors, 32(4), 042001-042004, 2011 【6】郭海峰,哈斯花,朱俊,应变GaN/AlxGa1-xN量子阱中电子的跃迁能,功能材料, 42, 241-244, 2011 【7】郭海峰,哈斯花,朱俊,外电场下应变量子阱中电子与空穴的本征态,发光学报, 31(6), 870-876, 2010

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