仲莉 - 中国科学院半导体研究所 -

个人简介

仲莉，女，博士，研究员，硕士生导师。 2003年获吉林大学工学学士学位，2008年获中国科学院半导体研究所工学博士学位，同年进入中国科学院半导体研究所工作。长期从事半导体激光器研制及器件物理研究。2012年获北京市科技进步三等奖、2018年获科技创新专项二等奖，排名第三。先后主持和作为核心成员完成了省部级科研项目、国家科技重大专项及企业委托开发等项目和课题二十余项。解决了大功率高可靠半导体激光芯片在科学和技术上的瓶颈问题，在国内率先研制成功准连续千瓦级列阵激光芯片及连续十瓦级实用化单管芯激光芯片。负责建成了国内最早一家具有自主技术的高温高可靠半导体激光列阵及组件的硬焊料封装工艺线，以及高可靠单管芯器件封装工艺线，攻克了系列低应力一体化封装关键技术并获得相关专利，实现了工程化量产。研制出多种新型特需泵浦光源，满足了国内固体激光器和光纤激光器对泵浦光源的需求，在国家重点工程和项目中获得了广泛的应用，所研制的系列器件的性能指标属国内领先水平。参与编写了一部英文著作的一章。主编并获批了多项企业标准、专项标准及国家标准。在研/完成项目： 1、大功率半导体激光器（列阵） 2、高亮度半导体激光器

研究领域

主要从事大功率半导体激光器、特种泵浦光源及固体激光器研究等。实验室具有国际上较先进的设备，具备各种半导体光电子器件研究所需的较完备的平台条件。

近期论文

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1. LiZhong*andXiaoyuMa，RecentDevelopmentsinHighPowerSemiconductorDiodeLasers，Optoelectronics－DevicesandApplications，ISBN978-953-307-576-1，2011 2. LiZhongandXiaoyuMa,PhotoluminescencePropertiesofTensile-StrainedGaAsP/GaInPSingleQuantumWellsGrownByMetalOrganicChemicalVaporDeposition,JapaneseJournalofAppliedPhysics,Vol.47,No.9,pp.7026-7031,2008 3. LiZhong,XiaoyuMa,ShutangWangandSupingLiu,808nmGaAsP/GaInPLaserDiodeArraysGrownbyMOCVDusingTBPandAsH3,IEEEInternationalNano-OptoelectronicsWorkshop,2008.08pp.237-238,Japan，2009 4. LiuSuping,ZhongLi*,ZhangHaiyan,WangCuiluan,FengXiaomingandMaXiaoyu,259WQCWAl-free808nmLinearLaserDiodeArrays,JournalofSemiconductors,JournalofSemiconductors,Vol.29,No.12,pp.2335-2339,2008 5. XiaoyuMaandLiZhong*,Advancesinhighpowersemiconductordiodelasers,(invitedpaper)Proc.ofSPIE,Vol.6824,p.682402-1,2007 6. ZHONGLi*,WANGJun,FENGXiao-ming,WANGYong-gang,WANGCui-luan,HANLin,CHONGFeng,LIUSu-ping,MAXiao-yu,808nmHigh-PowerLaserwithAl-freeActiveRegionwithAsymmetricWaveguideStructure,ChineseJournalofLasers,Vol.34,No.8,pp.1037-1042,2007,inChinese 7. 刘兴胜、⋯仲莉等，国家标准“半导体激光器总规范”、“半导体激光器测试方法标准”,2013