个人简介
赵建华，女，博士，研究员，博士生导师。
1985、1988年吉林大学物理系理学学士、硕士学位，1999年中科院物理所理学博士学位。1988-1996年燕山大学工作。1999-2000年中科院半导体所博士后，2000-2002年日本东北大学电气通信研究所HideoOhno教授实验室博士后。2002年9月至今中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室研究员。2015年被聘为中国科学院大学岗位教授。获2016-2017年度黄昆固体物理与半导体物理奖、2014年度中国电子学会科学技术一等奖、2014年度中科院优秀研究生指导教师奖、2000年度国家技术发明二等奖。享受国务院政府特殊津贴。
科技部重大研究计划项目首席科学家，主持过十余项国家自然科学基金委、科技部和中科院资助的重点、重大项目。现任国际纯粹与应用物理学联合会（IUPAP）磁学专业委员会（C9）委员、中国物理学会磁学专业委员会委员、中科院半导体所学术委员会副主任、北京大学固态量子器件北京市重点实验室学术委员会委员、北京大学磁电功能材料与器件北京市重点实验室学术委员会委员、中科院磁性材料与器件重点实验室学术委员会委员、杭州电子科技大学磁电子中心学术委员会委员、《物理学进展》编委等。曾任英国物理学会期刊《SemiconductorScienceandTechnology》编委、中国物理学会低温物理专业委员会委员、国际磁学大会（ICM2018美国，ICM2015西班牙）、国际亚太联磁学大会（2016ICAUMS台湾）、IEEE国际磁学大会（INTERMAG2015北京）、磁学与磁性材料国际大会（2011MMM美国）等10余个国际大会组委会委员。
迄今发表文章200余篇，其中Nature子刊2篇，Phys.Rev.Lett.2篇，NanoLett.8篇，Adv.Mater.3篇，Appl.Phys.Lett.30余篇，邀请综述10篇。得到国际同行广泛引用，并被写入专著。APS、ICPS、MRS等国际邀请报告40余次，国内邀请报告30余次。培养的研究生7人次获中科院院长奖学金优秀奖、中科院优秀博士学位论文、国家奖学金和美国超导奖等奖励。
长期从事半导体自旋电子学研究，率其团队在高品质磁性半导体、半金属和铁磁金属薄膜和相关异质结构的分子束外延生长以及自旋相关物理性质研究方面取得了一系列重要成果，部分成果位于国际领先水平。主要包括：把典型磁性半导体(Ga,Mn)As居里温度提高至200K，创下国际最高纪录；首次在L10-MnAl磁性薄膜中观测到轨道双通道近藤效应的全部电输运证据，验证了已提出36年的轨道双通道近藤效应的理论预言；发现在Co2FeAl/(Ga,Mn)As界面处约2nm厚(Ga,Mn)As中的Mn离子在室温保持自旋极化，提供了一种提高(Ga,Mn)As居里温度的新途径；利用有机分子/(Ga,Mn)As界面效应调控(Ga,Mn)As居里温度范围达到36K，远高于电调控效果；首次在GaAs上外延出超大垂直磁各向异性L10-MnGa薄膜，这类与半导体结构和工艺兼容的薄膜在高热稳定性、高存储密度、低功耗新型自旋电子器件方面具有重要应用前景；创造性地在一维InAs纳米线上生长出了二维高质量纯闪锌矿结构InSb单晶纳米片，这种全新的制备方法有望加速InSb材料在高速自旋量子器件及基础物理研究等方面应用等。
在研/完成主要项目：
(1)国家自然科学基金大科学装置联合基金项目“同步辐射软X射线方法研究V族拓扑半金属材料特性及相关新奇宏观量子现象”（2017-2020，主持）
(2)国家重大科学研究计划项目“垂直磁各向异性铁磁/半导体异质结构中自旋调控”（2015-2019，主持）
(3)中科院前沿科学重点研究计划项目“第三代磁存储器的新材料及器件原理研究”（2016-2020，主持）
(4)国家自然科学基金重点项目“新型半导体基垂直磁各向异性材料及器件”（2014-2018，主持）
(5)国家自然科学基金专项基金项目“基于超导量子干涉仪的磁学和电学性质同步测量系统研制”（2012-2015，主持）
(6)国家自然科学基金重大国际(中美)合作研究项目“半导体/铁磁体异质纳米结构的磁性质及依赖于自旋的电学性质”（2010-2012，主持）
(7)国家自然科学基金重点项目“高品质半导体自旋电子材料制备及其自旋量子调控”（2009-2012，主持）
(8)国家重大科学研究计划项目课题“高品质半导体磁性异质结构分子束外延生长和磁性研究”（2007-2011，主持）
(9)中科院知识创新工程项目“半导体自旋量子结构中的器件物理效应”（2007-2010，主持）
(10)国家自然科学基金重点项目“磁性半导体、半金属及其异质结构的生长制备和自旋相关现象的研究”（2004-2008，主持）
近期论文
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（1）L.X.Li,D.Pan*,Y.Z.Xue,X.L.Wang,M.L.Lin,D.Su,Q.L.Zhang,X.Z.Yu,H.So,D.H.Wei,B.Q.Sun,P.H.Tan,A.L.Pan,andJ.H.Zhao*,NearFull-Composition-RangeHigh-QualityGaAs1−xSbxNanowiresGrownbyMolecular-BeamEpitaxy,NanoLett.17(2017)622
（2）赵建华*，是否可能制造出室温下的磁性半导体?（Science125个科学前沿问题系列解读文章）科学通报，61(2016)1401
（3）L.J.Zhu,S.H.Nie,P.Xiong,P.Schlottmann,J.H.Zhao*,Orbitaltwo-channelKondoeffectinepitaxialferromagneticL10-MnAlfilms,NatureCommun.7(2016)10817
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（6）赵建华，物理路上——每一天太阳都是新鲜的，（“三·八”国际妇女节专题）物理，44(3)(2015)156
（7）X.L.Wang,H.L.Wang,D.Pan,T.Keiper,L.X.Li,X.Z.Yu,J.Lu,E.Lochner,S.vonMolnár,P.Xiong*,andJ.H.Zhao*,RobustManipulationofMagnetisminDiluteMagneticSemiconductor(Ga,Mn)AsbyOrganicMolecules,Adv.Mater.27(2015)8043
（8）赵建华，半导体家族中神奇的一员——磁性半导体，物理教学，36(12)(2014)2
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