杨涛 - 中国科学院半导体研究所 -

个人简介

杨涛，男，博士，研究员，博士生导师。 1997年于日本德岛大学毕业，获工学博士。博士毕业后，作为研究员或助理教授曾先后任职于日立公司中央研究所，新能源产业技术综合开发机构（NEDO）和东京大学。2006年，作为中科院“引进海外杰出人才”回国到半导体研究所工作，任研究员。2015年，兼任中国科学院大学（国科大）岗位教授。主要从事半导体材料与器件研究，尤其在氮化物半导体新材料、低维纳米结构半导体量子点、量子阱和纳米线材料及器件应用等前沿领域取得多项创新性成果。代表性研究工作包括：1）建立了适于III族氮化物半导体电子能带结构计算的紧束缚近似模型。该模型已被国际同行称作“标准的紧束缚近似模型”；2）理论上证明了V族立方相氮化物合金(InAsN)是直接带隙半导体材料并具有大的带隙弯曲参量，预言了此合金可被用作发展长波长信息功能器件的新材料；3）提出了“高温缓冲层”概念，用“三步生长法”取代“传统的两步生长法”在蓝宝石衬底上用MOCVD制备出高质量的GaN晶体；4）利用先进的MOCVD或MBE技术实现了高性能GaAs基和InP基量子点材料及器件：如，在国际上报道了最均匀的1.3微米波段InAs/GaAs自组织量子点材料（非均匀展宽<17meV）；快速退火能使长波长InAs/GaAs量子点产生大的波长蓝移现象，并阐明了产生这一现象的物理机理；通过引进退火，发明了显著改进InAs/GaAs量子点有源区性能的技术；证明了转换效率高达17%的InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池；证明了高性能1.55微米波段InAs/InP量子点材料及边发射激光器、宽带可调谐激光器和超短脉冲锁模激光器等等；5）实现了基于MOCVD的高性能2微米波段InP基量子阱激光器。迄今，在重要的国际学术刊物上发表论文80余篇，发表国际学术会议论文60余篇和国内学术会议论文50余篇。申请国内外发明专利20项。曾获德岛大学国际交流研究奖（1997），NEDOFellowship（2000）。关于杨涛课题组详细介绍请参见网站：http://qdlab.semi.ac.cn/ 在研/完成的主要项目： 1）国家自然科学基金项目“InP基2mm波段分布反馈量子阱激光器制备研究”（2016-2019）； 2）国家自然科学基金项目（重点）“新型高效量子点中间能带太阳能电池材料及器件研究”（2015-2018）； 3）国家973研究计划项目子课题“量子级联激光器材料”（2013-2017）； 4）北京市科技计划项目“10G量子点激光器研制”（2013-2015）； 5）国家重大科学研究计划项目“新型半导体纳米线的可控生长和表征”（2012-2016）； 6）国家自然科学基金项目“基于MOCVD高性能1.55微米InAs/InP自组织量子点材料生长及激光器应用研究”（2012-2015）； 7）国家自然科学基金项目“新型高效InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池的研究”（2011-2013）； 8）国家自然科学基金项目“新型P型掺杂1.3微米InAs/GaAs自组织量子点材料生长及激光器应用相关基础研究”（2009-2011）； 9）国家863计划项目“新型P型掺杂GaAs基1.3微米InAs量子点激光器研究”（2006.12-2008.12）。

研究领域

1）低维纳米结构半导体材料（量子阱、量子点和纳米线）MOCVD或MBE生长及器件制备研究； 2）新型半导体激光器、探测器和光放大器等器件研究； 3）新型高效量子点中间能带太阳能电池研究； 4）新型高效多节太阳能电池研究。

近期论文

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