个人简介
杨少延，男，博士，研究员，博士生导师。
1973年5月生。1992至1996年于哈尔滨师范大学物理系攻读大学本科，获得物理教育专业理学学士学位；1996至1999年于吉林大学材料科学与工程系攻读硕士，获得凝聚态物理专业理学硕士学位；2002至2005年于中科院半导体所攻读在职博士，获得材料与物理化学专业工学博士学位，博士论文题目为“大失配异质外延超薄中间层柔性衬底研究”，导师为王占国院士和陈涌海研究员。
1999年7月自吉林大学硕士毕业到中科院半导体所参加工作，长期从事半导体材料与器件研究工作。1999至2005年先后担任半导体材料科学重点实验室研究实习员、助理研究员、离子束外延（IBE）研究组组长、副组长，主要从事离子束外延材料制备技术研究；2005年7月晋升为副研究员，2006至2012年担任半导体材料科学重点实验室MOCVD研究组副组长，主要从事大失配异质外延衬底制备技术和宽禁带半导体材料MOCVD生长技术研究；2013年1月晋升为研究员，担任半导体材料科学重点实验室超宽禁带半导体材料研究组组长，主要从事宽禁带和超宽禁带半导体材料、器件及物理研究工作。
取得的重要科研成果及所获奖励：
自参加工作以来，先后承担各类国家和地方科研项目10多项（包括863课题3项，973课题2项，国家自然科学基金课题4项，中科院设备研制项目1项，合作研究课题2项），发展了多项衬底材料制备技术和半导体材料制备新技术。近年来，在宽禁带和超宽禁带半导体材料的大失配外延衬底制备技术，如GaN和AlN厚膜衬底材料的应力调控和材料制备技术，及新型半导体光电器件设计制备技术，如垂直结构Si衬底GaN-LED器件和玻璃衬底InGaN量子点全光谱太阳电池器件，又已取得许多新研究进展。所从事的相关研究工作已发表论文90多篇,申请国家发明专利30多项，培养硕士研究生6名，协助培养博士研究生15名。
在研/完成项目：
（1）国家自然科学基金重大研究计划“面向能源的光电转换材料”培育项目：利用玻璃衬底制备新型InGaN基量子点全光谱太阳电池材料研究，项目负责人，2013.1-2015.12，经费80万。
（2）国家863重大专项“高效半导体照明关键材料技术研发”课题1“大尺寸Si衬底GaN基LED外延生长、芯片制备及封装技术”子课题。子课题负责人，2011.1～2013.12，经费417万。
（3）国家863军口预研项目，项目负责人，2011.7～2013.7,经费40万。
（4）国家自然科学基金面上项目:硅基氮化镓厚膜制备中的大失配应力调控方法与机制研究，项目负责人，2010.1～2012.12,经费46万。
（5）国家自然科学基金面上项目:生长温度周期调制的MOCVD法制备p型ZnO薄膜研究，项目负责人，2008.1～2010.12，经费32万。
（6）国家863项目：生长温度周期调制MOCVD法制备ZnO材料及发光器件研究，项目负责人，2007.12～2010.12，经费98万。
（7）国家自然基金面上项目:GaN与ZnO异质外延中的Si基协变超薄中间层研究，项目负责人，2006.1～2008.12，经费23万。
（8）国家973项目“半导体光电信息功能材料的基础研究”子课题:大失配异质体系材料衬底研究，子课题负责人，2006.9～2011.9，经费129万。
（9）国家973项目“信息功能材料基础研究”子课题：大失配异质结构材料柔性衬底研究，子课题负责人，2000.9～2005.9，经费97万。
（10）中国科学院设备改造项目：能离子束外延实验机真空泵购置项目，项目负责人，2000.1～2002.12，经费117万。
（11）中科院半导体所与香港城市大学合作研究项目：“金刚石成核机制研究”，项目负责人：1999.9～2002.7，经费10万。
（12）院地合作技术咨询项目：协助杭州钱宏光电科技有限公司组建半导体材料生产线技术咨询项目，项目负责人，2007.11～2010.11，经费30万。
代表性论文及专利：
1.杨少延等，中国发明专利：氮化铝单晶材料制备方法，专利号：201210332652.6，申请日:2012.9.10
2.王建霞，杨少延等,中国发明专利：一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法,专利号：201210325765.3，申请日:2012.9.5
3.赵桂娟，杨少延等,中国发明专利：制备非极性A面GaN薄膜的方法，专利号：201210313725.7，申请日:2012.8.29
4.张志成，杨少延等，中国发明专利：一种氢致解耦合的异质外延用柔性衬底，专利号：ZL03155388.5，申请日期：2003.08.28，授权公告日：2007.10.24
5.杨少延等，中国发明专利：低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法，专利号:ZL200410044605.7，申请日:2004.5.14,授权日：2007.8.15
6.杨少延等，中国发明专利：一种制备二元稀土化合物薄膜材料的方法，专利号：ZL200410101884.6，申请日:2004.12.30,授权日：2008.10.8
7.杨少延等，中国发明专利:利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法，专利号：ZL200610003072.7，申请日:2006.2.8，授权日：2008.10.8
8.杨少延等，中国发明专利：一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料，专利号：ZL200610169750.7，申请日:2006.12.28，授权日：2009.9.30
9.杨少延等，中国发明专利:一种生长氧化锌薄膜的装置及方法，专利号：ZL200610169751.1，申请日:2006.12.28，授权日：2010.2.17
10.郭严等，发明专利：一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法，专利号：201010157637.3，申请日：2010.4.21，授权日：2011.10.5
11.杨少延，邀请报告：硅衬底氮化镓材料发展节能新技术的机遇与挑战，2013年第十二届国际真空展览会真空学术论坛，2013年5月15-16日，地点：国家会议中心，主办单位：中国真空学会，北京真空学会。
研究领域
（1）宽禁带和超宽禁带半导体低材料、器件及物理研究；
（2）大失配异质外延衬底制备技术研究。目前重点开展GaN和AlN厚膜衬底材料的应力调控和材料制备技术研究；
（3）新型半导体光电器件设计制备技术研究。目前重点开展垂直结构Si衬底GaN-LED器件和玻璃衬底InGaN量子点全光谱太阳电池器件研究。
近期论文
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Liu,G.Wu,J.Lu,Y.Zhang,B.Li,C.Sang,L.Song,Y.Shi,K.Liu,X.Yang,S*.Zhu,Q.Wang,Z.，AtheoreticalcalculationoftheimpactofGaNcapandAlxGa1-xNbarrierthicknessfluctuationsontwo-dimensionalelectrongasinGaN/AlxGa1-xN/GaNheterostructure，IEEETransactionsonElectronDevices,58(12),4272(2011)
XiaoqingXu,YanGuo,XianglinLiu,JianminLiu,HuapingSong,BiaoZhang,JunWang,ShaoyanYang,HongyuanWei,QinshengZhu,ZhanguoWang,’GaNgrownwithInGaNasaweaklybondedlayer’,CrystEngComm13,1580(2011)
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