个人简介
魏学成,男,博士,副研究员,硕士生导师。
2007年7月毕业于中国科学院半导体研究所,获材料物理与化学专业博士学位;同年留所工作至今。目前主要从事III族氮化物材料的生长与表征,包括AlN单晶材料生长、半导体材料与器件的光学性质和杂质分布、紫外LED模组可靠性和应用等相关研究工作。
取得的重要科研成果:
主要从事第三代半导体材料AlN单晶生长研究,设计搭建了国内最早的AlN单晶生长炉;开展了LED内量子效率的研究,提出了LED量子阱结构优化和光学表征等创新性设计;完善了二次离子质谱仪表征半导体材料杂质含量的条件,提升了杂质检测限;开展了紫外模组老化和可靠性研究,完成了紫外应用模组的开发设计。在OpticsLetters,OpticsExpress,AppliedPhysicsLetters等发表SCI论文50多篇,申请发明专利20余项,授权10余项(其中第一申请人授权3项),制定国家标准2项。
在研项目:
(1)国家自然科学基金面上项目,“基于飞秒激光的高Al组分氮化物薄膜和量子结构的新型光学表征方法研究”,项目负责人,2017.1-2020.12;
(2)国家重点研发计划项目子课题,基于微纳结构材料的单芯片全光谱LED技术研究,子课题负责人,2018.5-2020.4;
(3)国家重点研发计划项目课题,“材料生长”,课题负责人,2016.7-2020.6;
(4)基金委国家重大科研仪器研制项目,高铝组分氮化物材料外延及原位监测集成化设备研制,参与,2016.1-2020.12。
研究领域
(1)AlN单晶生长研究
(2)半导体材料荧光特性研究
(3)半导体材料痕量杂质研究
(4)紫外LED可靠性研究
近期论文
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1.
L.Zhang,Y.N.Guo,J.C.Yan,Q.Q.Wu,X.C.Wei,etal.Deepultravioletlight-emittingdiodeswithimprovedperformanceviananoporousAlGaNtemplateOpticsExpress27(4):4917,February2019
2.
XuechengWei,LixiaZhao,JunxiWang,YipingZengandJinminLi,Characterizationofnitride-basedLEDmaterialsanddevicesusingTOF-SIMS,Surf.InterfaceAnal.2014,46,299–302
3.
ZiguoYu,LixiaZhao,X.C.Wei,X.J.Sun,P.B.An,S.C.Zhu,L.Liu,L.X.Tian,F.Zhang,H.X.Lu,J.X.Wang,Y.P.Zeng,J.M.Li,Surfaceplasmon-enhancednanoporousGaN-basedgreenlight-emittingdiodeswithAl2O3passivationlayer,OpticsExpress10/2014;22(S6):A1596
4.
L.Zhang,X.C.Wei,N.X.Liu,H.X.Lu,J.P.Zeng,J.X.Wang,Y.P.Zeng,J.M.Li,ImprovementofefficiencyofGaN-basedpolarization-dopedlight-emittingdiodesgrownbymetalorganicchemicalvapordeposition,AppliedPhysicsLetters01/2011;98
5.
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