个人简介
娄文凯，男，博士，副研究员，硕士生导师。
娄文凯于2005年获华中师范大学物理系学士学位，2008年在武汉大学物理学院获得硕士学位，2012年在半导体所超晶格室常凯老师组获得博士学位。期间分别于2011年3月至2011年7月和2012年1月至2012年4月比利时安特卫普大学学术访问。之后在半导体所超晶格室低维量子结构新奇物性研究组工作至今。研究方向为凝聚态理论物理、自旋电子学。主要运用k.p方法，CI构型方法和紧束缚等方法，研究是具有强自旋-轨道耦合低维半导体结构和自旋相关的介观系统中输运特性和新奇物理现象。
取得的重要科研成果及所获奖励：
1和合作者一起从理论上提出了一个利用半导体刻蚀技术制备拓扑绝缘体HgTe量子点的方案。在通常的半导体量子点中，基态中的电子会集中分布在量子点中心。HgTe量子点的电子基态则分布在量子点边缘附近。这类新的量子态是边缘态沿量子点边界量子化的结果。由于这种特征，人们可以期待在量子点中能够看到Aharonov-Bohm效应，并以此来检测边缘态的存在。同时这类新的量子点在偶极近似下是光跃迁禁戒的，即所谓的“暗态”。因此可能用来存储量子信息。文章发表在Phys.Rev.Lett.,106,206802(2011)
2和合作者一起从理论上证明利用GaN/InN/GaN半导体异质结界面的极化电场，可以将InN薄层驱动到拓扑绝缘体相。这是首次打破窄能隙和重元素的限制，在常见的半导体材料中发现拓扑绝缘体相，该工作对拓展和探索新的拓扑绝缘体，及其开展介观器件的研究具有重要的意义。文章发表在Phys.Rev.Lett.109,186803(2012)。
2.和合作者一起研究了常见半导体锗中拓扑绝缘体相的实现，利用GaAs/Ge界面极化电场将锗薄膜驱动到拓扑相，这为拓扑绝缘体的器件应用和集成向前推进了一步。相关工作发表在Phys.Rev.Lett.，111,156402（2013）。
在研/完成项目：
1,国家自然科学基金:InAs/GaSb二类超晶格长波红外探测材料与器件研究-重大基金(61290303)；
2,国家自然科学基金:HgTe拓扑量子点少电子系统电子结构性质理论研究-青年基金(11304306)；
3,中国科学院院专项：中国科学院青年创新促进会（2015093）；
4,国家自然科学基金：极性超薄半导体量子阱非线性光学性质理论研究-面上项目（11574303）；
近期论文
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1.
LikaiLi,FangyuanYang,GuoJunYe,ZuochengZhang,ZengweiZhu,WenkaiLou,XiaoyingZhou,LiangLi,KenjiWatanabe,TakashiTaniguchi,KaiChang,YayuWang,XianHuiChen*&YuanboZhang*,“QuantumHalleffectinblackphosphorustwo-dimensionalelectronsystem”,NatureNanotechnology(2016)doi:10.1038/nnano.2016.42.
2.
RuiZhang,X.Y.Zhou,D.Zhang,Wen-KaiLou,F.Zhai,KaiChang†,“Electronicandmagneto-opticalpropertiesofmonolayerphosphorenequantumdots”,2DMaterials2,045012(2015).
3.
L.K.Shi*,Wen-KaiLou*,F.Cheng,Y.L.Zou,WenYangandKaiChang†,“ArtificialGaugeFieldandTopologicalPhaseinaConventionalTwo-dimensionalElectronGaswithAntidotLattices”,ScientificReports5,15266(2015).
4.
Xiao-YingZhou,Wen-KaiLou,FengZhai,andKaiChang†,“Anomalousmagneto-opticalresponseofblackphosphorusthinfilms”,Phys.Rev.B92,165405(2015).
5.
X.Y.Zhou,R.Zhang,J.P.Sun,Y.L.Zou,D.Zhang,Wen-KaiLou,F.Cheng,G.H.Zhou,F.ZhaiandKaiChang†,“Landaulevelsandmagneto-transportpropertyofmonolayerphosphorene”,ScientificReports5,12295(2015).
6.
GuoZhiJia,WenKaiLou,FangCheng,XiongLongWang,JiangHongYao,NingDai,HaiQingLin,KaiChang†,“Excellentphotothermalconversionofcore/shellCdSe/Bi2Se3quantumdots”,NanoResearch,Vol.8,1443-1453,(2015).
7.
ChunxuBai,YonglianZou,Wen-KaiLou,andKaiChang†,“Purevalley-andspin-entangledstatesinaMoS2-basedbipolartransistor”,Phys.Rev.B90,195445(2014).
8.
JianLi,Wen-KaiLou,DongZhang,Xiao-JingLi,WenYang,andKaiChang†,“Single-andfew-electronstatesintopological-insulatorquantumdots”,Phys.Rev.B90,115303(2014).
9.
Li-KunShiandWen-KaiLou†,“SurfaceStatesofBi2Se3NanowiresinthePresenceofPerpendicularMagneticFields”,Chin.Phys.Lett.31,067304(2014).
10.
DongZhang*,Wen-KaiLou*,M.SMiao,S.C.ZhangandKaiChang†,“Interface-InducedTopologicalInsulatorTransitioninGaAs/Ge/GaAsQuantumWells”,Phys.Rev.Lett.111,156402(2013).
11.
Liang-ZhongLin†,FangCheng,DongZhang,Wen-KaiLouandLe-BoZhang,“ElectrontransportinaHgTequantumspinHallbarwithperiodicelectricmodulations”,SolidStateCommunications161,34-37(2013).
12.
M.S.Miao†,QYan,C.GVandeWalle,Wen-KaiLou,L.L.LiandKaiChang†,“Polarization-driventopologicalinsulatortransitioninaGaN/InN/GaNquantumwell”,Phys.Rev.Lett.109,186803(2012).
13.
KaiChangandWen-KaiLou,“HelicalquantumstatesinHgTequantumdotswithinvertedbandstructures”,Phys.Rev.Lett.106,206802(2011).
14.
Wen-KaiLou†,FangChengandJunLi,“ThepersistentchargeandspincurrentsintopologicalinsulatorBi2Se3nanowires”,J.Appl.Phys.110,093714(2011).
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