刘喆 - 中国科学院半导体研究所 -

个人简介

刘喆，女，博士，研究员，博士生导师。 1978年11月生，2006年于中国科学院半导体研究所获得材料物理与化学博士学位，之后在中科院半导体所半导体照明研发中心工作。从事氮化物材料生长和器件研制工作10年，熟悉MOCVD和HVPE等设备生长氮化物材料，相关材料分析表征以及LEDs结构设计。主要研究工作包括大失配体系材料生长和LEDs结构设计，新型氮化物材料生长和器件研制、高效绿光LEDs及相关光电材料研究。“十二五”作为半导体所方面负责人承担了科技部的“半导体照明产品检测与质量认证平台建设”项目，“十五”、“十一五”期间作为骨干参加了多个氮化物相关的项目研究，包括国家863“Si基GaN材料研究”、“十五”半导体照明国家科技攻关计划、国家863重大项目半导体照明等项目等。长期负责照明中心的国际合作交流工作，分别与美国Sandia国家实验室、阿拉莫斯国家实验室、日本名古屋工业大学、韩国的光州研究院、德国夫朗和费实验室及荷兰代尔夫特理工大学等建立了密切的合作关系，并共同申请了多个国际合作研究课题。多次参加国际学术会议，在国内外杂志上发表论文三十余篇，申请专利二十多项。2012年获得北京市科学技术奖（技术发明类）一等奖，完成中科院成果鉴定3项，2012年获得中国产学研合作创新成果奖，2013年完成专著一部，由Springer出版社。在研/完成项目： 1.《半导体照明产品检测与质量认证平台建设》科技部支撑计划项目(项目负责人) 2.《紫外LED用AlGaN材料生长研究》科技部863重大项目 3.《HVPE法制备GaN同质衬底》科技部863重大项目 4.《半导体照明重大科学前沿研究科技部》科技部重大国际合作项目 5.《高效氮化物LED异质结构设计与量子效率提升研究》科技部973项目 6.《Si基GaN材料研究》科技部863项目 7.“ScientificcooperationbetweenChinaandtheNetherlandsChinaExchangeProgramme”荷兰皇家艺术和科学院资助

研究领域

1.新型氮化物材料生长和器件研制； 2.氮化物大失配体系材料生长和LEDs结构设计； 3.高效绿光LEDs及相关光电材料研究。

近期论文

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1.JinminLi,JunxiWang,ZheLiu,“ThermalManagementforLEDApplication”，Springerpress,(2013). 2.ZheLIU,XiaoliangWANG，JunxiWANG,GuoxinHU,LunchunGUO,JianpingLI,JinminLI,YipingZENG，EffectsofbufferlayersonthestressandmorphologyofGaNepilayergrownonSisubstratebyMOCVD,JournalofCrystalGrowth,2007 3.ZheLiu,NingZhang,PengDong,JinminLi,JunxiWangModificationofpolarizationfieldsinthemultiplequantumwellsofInGaN-basedgreenlight-emittingdiodesviaMg-dopinginthebarriers,EMRS-Strasbourg-SPRING13L:GroupIIInitrides(2013) 4.ZheLIU,XiaoliangWANG，JunxiWANG,GuoxinHU,LunchunGUO,JianpingLI,JinminLI,YipingZENG，EffectsofbufferlayersonthestressandmorphologyofGaNepilayergrownonSisubstratebyMOCVD,POSTERPRESENTATIONforICMOVPE-XIII,May,2006,Miyazaki,Japan 5.ZheLIU,JunxiWANG,XiaoliangWANG,GuoxinHU,LunchunGUO,HongxinLIU,JianpingLI,JinminLI,YipingZENG，StudyonsurfacemorphologyofGaNgrowthbyMOCVDonGaN/Si(111)template,ORALREPORTonThe3rdAsianConferenceonCrystalGrowthandCrystalTechnology,Oct.,2005,Beijing,China 6.NingZhang,ZheLiu,TongboWei,LianZhang,XuechengWeietal.EffectofthegradedelectronblockinglayerontheemissionpropertiesofGaN-basedgreenlight-emittingdiodes，APPLIEDPHYSICSLETTERS，(2012) 7.ZHANGNing,LIUZhe,SIZhaoetal.OnefficiencydroopandmodificationofpolarizationfieldsofInGaN-basedgreenlight-emittingdiodesviaMg-dopinginthebarriers,ChinesePhysicsLetters,(2013) 8.NingZhang,ZheLiu,TongboWei,LianZhangetal.,9thInternationalSymposiumonSemiconductorLightEmittingDevices,Berlin,Germany(2012).