程新红 - 中国科学院大学 - 电子电气与通信工程学院

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学 085400-电子信息招生方向功率器件集成电路工作简历 2011-01~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 研究员专利成果（ 1 ）基于Metal/Insulator/AlGaN/GaN叠层MIS结构的负微分电阻器件及制备方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN201510072456.3 （ 2 ）基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT器件及制作方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN201510772384.3 （ 3 ）基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT 器件, 2016, 第 1 作者, 专利号: PCT/CN2016/075635 科研项目（ 1 ） Ⅲ-Ⅴ族半导体衬底上铪基高k栅介质界面特性研究, 主持, 国家级, 2012-01--2015-12 （ 2 ）预先研究项目（61501050301D）, 主持, 国家级, 2011-01--2015-12 （ 3 ） 8 位MCU、CAN、LIN 设计开发（2012ZX02503003）, 主持, 国家级, 2012-01--2016-07 （ 4 ）新能源汽车用SiC功率器件关键技术研发, 主持, 省级, 2015-07--2017-06 （ 5 ）车用IGBT栅驱动芯片设计, 参与, 国家级, 2016-01--2020-12 （ 6 ）高纯SiC衬底制备与离子束剥离研究, 参与, 省级, 2017-07--2020-06 （ 7 ） SiC MOSFET 栅极驱动芯片研发, 主持, 省级, 2018-07--2020-06 （ 8 ）高真空快速自匹配PEALD设备研制, 主持, 部委级, 2020-01--2021-12 （ 9 ） 4-6英寸SiC晶圆上SiC MOSFETs 制造技术开发, 主持, 部委级, 2020-01--2021-12

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（1） A Self-Adaptive Measurement System for IGBT Collector Current using Package Parasitics, IEEE Transactions on Industrial Electronics, 2020, 通讯作者（2） IEEE Transactions on Power Electronics, An Indirect IGBT Over-current Detection Technique via Gate Voltage Monitoring and Analyzing, 2019, 通讯作者（3） Negative differential resistance in the I-V curves of Al2O3/AlGaN/GaN MIS structures, RSC Advances, 2016, 通讯作者（4） Reversible n-Type Doping of Graphene by H2O-Based Atomic-Layer Deposition and Its Doping Mechanism, JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2015, 通讯作者（5） Controlled direct growth of Al2O3-doped HfO2 films on graphene by H2O-based atomic layer deposition, Phys. Chem. Chem. Phys, 2015, 通讯作者（6） Passivation effect of graphene on AlGaN/GaN Schottky diode, RSC Adv., 2015, 通讯作者（7）水基ALD方法在石墨烯上生长Al2O3, mprovement of Al2O3 Films on Graphene Grown by Atomic Layer Deposition with Pre-H2O Treatment, ACS Appl. Mater. Interfaces, 2014, 通讯作者（8） ON-Resistance Degradation Induced by Hot-Carrier Injection in SOI SJ-LDMOS, IEEE Transaction on Electron Devices, 2013, 通讯作者（9） Inp 衬底上Al2O3/NbAlO/Al2O3 栅介质生长, sandwich gate dielectric film on InP, Applied Physics Letters, 2010, 第 1 作者（10） Ti盖帽层保护退火的HfAl2O5栅介质特性研究, Interfacial structures and electrical properties of gate dielectric film annealed with a Ti capping layer, Applied Physics Letters, 2007, 第 1 作者（11） Si0.8Ge0.2 衬底上EBV方法制备的HfxSiyO薄膜特性研究, Characteristics of HfxSiyO films grown on layer by electron beam evaporation, Applied Physics Letters, 2006, 第 1 作者