个人简介

于丽娟，女，博士，副研究员，硕士生导师。 1986年和1989年在吉林大学物理系获学士和硕士学位，2000年在西安交通大学电子工程系获博士学位。 2000年至今在中科院半导体所从事半导体光电材料及相关器件的研究，曾参加高性能半导体光放大器规模化生产技术项目，研制出纤-纤增益大于15dB的半导体光放大器。在对半导体材料的直接键合的研究过程中，已获得了III-V半导体材料与硅键合的窗口温度，并利用键合的方法在硅基上实现了1.55μmInGaAsP/InP激光器的室温连续激射。2006年在英国帝国理工大学做访问学者，主要从事Ge/SiDBR材料特性及Ge/Si量子阱调制器的研究。 已在国内外学术刊物及国际学术会议上发表30多篇学术论文和两个专利。

研究领域

半导体光电器件

科研项目 （1）模式产生、转换与复用机制及控制,参与,国家级,2014-01--2019-01 （2）xxxx集成光源,主持,国家级,2017-03--2018-03 （3）xxxx光频梳,参与,国家级,2016-09--2020-09 专利成果 （1）晶片直接键合过程中实验参数的优化,2005,第2作者,专利号:200510130770.9 （2）Z字形自准直半导体光放大器热沉,2014,第1作者,专利号:201410047192.1 （3）一种测量半导体光放大器偏振灵敏度的装置,2014,第2作者,专利号:CN201410784900.X （4）斜腔半导体光放大器的耦合方法,2014,第1作者,专利号:CN201410784618.1 （5）外腔窄线宽激光器,2015,第2作者,专利号:CN201510999578.7 （6）少模面发射激光器,2015,第2作者,专利号:CN201511006107.8 （7）双沟宽脊型半导体光放大器及其制备方法,2016,第1作者,专利号:CN201610037070.3

近期论文

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（1）Few-ModeVertical-CavitySurface-EmittingLasersforSpace-DivisionMultiplexing,Chin.J.Semicon,2017,第2作者 （2）Verticalcavitysurfaceemittinglaserwithtwoemissioncontrollabletransversemodes,IEEEPhotonicsTechnologyLetters,2017,第2作者 （3）用阶梯变化金属纳米光栅增加介质中的光吸收,太阳能,2013,第1作者 （4）CWInP-InGaAsPQuantum-WellLasersonSiFabricatedbyWaferBonding,Chin.J.Semicon.,2007,第1作者 （5）ThermalstressanalysisforGaInAsPmultiplequantumwellwaferchemicallybondedtoSi(100),J.Appl.Phys.,2006,第2作者 （6）StrainanalysisofInP/InGaAsPwaferbondedonSibyX-raydoublecrystallinediffraction,MaterialScienceandEngineeringB,2006,第2作者