个人简介

杨身园，女，博士，副研究员，硕士生导师。 1981年2月生。2003年毕业于北京师范大学物理学系，2008年从中国科学院物理研究所获得博士学位。2006年至2008年在美国田纳西大学和橡树岭国家实验室做访问学者，2008年至2011年在美国劳伦斯伯克利国家实验室做博士后。2011年到中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室工作至今。 取得的重要科研成果及所获奖励： 利用第一性原理计算，证明了II-VI组半导体纳米结构CdSe/CdTe芯-壳同轴纳米线存在相当大的各向异性应变，而这样大的应变能够改变CdSe芯的能隙宽度，其量级与量子受限效应导致的能隙变化可比拟；研究了双轴应变对II-VI和III-V族纤维锌矿半导体体材料能隙的调控作用，分析了导带顶和价带底随双轴应变的非线性变化和物理机制；研究了有机分子在CdSe平面表面及纳米线表面的吸附，提出可以利用表面有机分子形成的界面偶极层来调节半导体的带边位置，改良半导体光催化剂的电子结构性质；研究了碳基纳米结构的储氢性质，以富勒烯为代表，提出了增强碳基纳米结构与氢分子相互作用的两种新颖方法：电荷掺杂和钙掺杂，从理论上预言了具有理想吸附能以及高储氢百分比的碳基纳米材料。 2008年3月，在美国旧金山举行的2008年美国材料学会（MRS）春季会议上因碳基纳米储氢材料方面的研究获得优秀研究生银奖。 在研/完成项目： 在研项目：主持国家自然科学基金青年基金一项，名称为“石墨烯纳米带与衬底相互作用的第一性原理研究”（2013-2015年）；申请面上基金一项，名称为“II-VI族半导体芯/壳纳米线异质结中的应变和掺杂”（2015-2018年），已获批准；另外参与科技部973项目两项。

研究领域

利用第一性原理计算研究半导体及纳米结构的原子结构和电子结构特征，目前感兴趣的体系主要集中于石墨烯纳米结构、III-V族半导体中的掺杂、II-VI族半导体纳米异质结中的应变，等。

科研项目 （1）石墨烯纳米带与衬底相互作用的第一性原理研究,主持,国家级,2013-01--2015-12 （2）分立量子点可控高效纳米发光器件机理及制备基础研究,参与,国家级,2013-01--2017-12 （3）2.8-4.0微米室温高性能半导体激光器材料和器件制备研究,参与,国家级,2014-01--2018-08 （4）II-VI族半导体芯/壳纳米线异质结中的应变与掺杂,主持,国家级,2015-01--2018-12 （5）二维电子材料及纳米量子器件的研究和原位分析仪器,参与,国家级,2015-01--2019-12 参与会议 （1）基于石墨烯的范德华外延生长应力释放机制研究中国物理学会2018秋季学术会议2018-09-13 （2）First-PrinciplesStudyonNonlinearVariationofElectronConcentrationinInPBiMaterials2016-07-24 （3）InPBi合金中电子浓度非线性变化的第一性原理研究中国物理学会2015年秋季学术会议杨身园，魏冠男，骆军委，李树深2015-09-10 （4）TuningtheelectronicstructureofII-VIsemiconductorsandnanostructuresforenergyapplicationsShenyuanYang2011-03-24 （5）TuningsemiconductorbandedgeenergiesviasurfaceligandpassivationShenyuanYang,D.Prendergast,andJ.B.Neaton2011-03-23 （6）Strain-inducedbandgapmodificationincoherentcore/shellnanostructuresShenyuanYang,D.Prendergast,andJ.B.Neaton2010-10-01 （7）ChargeseparationandelectroniclevelalignmentinmulticomponentCdSe/CdTenanostructuresfromfirstprinciplesShenyuanYang,D.Prendergast,andJ.B.Neaton2010-04-09 （8）ElectroniclevelalignmentinmulticomponentCdSe/CdTenanostructuresfromfirstprinciplesShenyuanYang,D.Prendergast,andJ.B.Neaton2010-03-15

近期论文

查看导师最新文章 （温馨提示：请注意重名现象，建议点开原文通过作者单位确认）

[1]ShenyuanYang,DavidPrendergast,andJeffreyB.Neaton,“Tuningsemiconductorbandedgeenergiesforsolarphotocatalysisviasurfaceligandpassivation”,NanoLett.12,383(2012). [2]ShenyuanYang,DavidPrendergast,andJeffreyB.Neaton,“TuningtheelectronicstructureofII-VIandIII-Vsemiconductorswithbiaxialstrain”,Appl.Phys.Lett.98,152108(2011). [3]ShenyuanYang,DavidPrendergast,andJeffreyB.Neaton,“Strain-inducedbandgapmodificationincoherentcore/shellnanostructures”,NanoLett.10,3156(2010). [4]MinaYoon,ShenyuanYang,andZhenyuZhang,“Interactionbetweenhydrogenmoleculesandmetallofullerenes”,J.Chem.Phys.131,064707(2009). [5]ShenyuanYang,LixinZhang,HuaChen,EngeWang,andZhenyuZhang,“Genericguidingprincipleforthepredictionofmetal-inducedreconstructionsofcompoundsemiconductorsurfaces”,Phys.Rev.B78,075305(2008). [6]ShenyuanYang,MinaYoon,ChristianHicke,ZhenyuZhang,andEngeWang,“Electrontransferandlocalizationinendohedralmetallofullerenes:Abinitiodensityfunctionaltheorycalculations”,Phys.Rev.B78,115435(2008). [7]ShenyuanYang,MinaYoon,EngeWang,andZhenyuZhang,“EnergeticsandkineticsofTiclusteringonneutralandchargedC60surfaces”,J.Chem.Phys.129,134707(2008). [8]MinaYoon,ShenyuanYang,ChristianHicke,EngeWang,DavidGeohegan,andZhenyuZhang,“Calciumasasuperiorcoatingmetalinfunctionalizationofcarbonfullerenesforhigh-capacityhydrogenstorage”,Phys.Rev.Lett.100,206806(2008). [9]MinaYoon,ShenyuanYang,EngeWang,andZhenyuZhang,“Chargedfullerenesashigh-capacityhydrogenstoragemedia”,NanoLett.7,2578(2007).