罗卫军 - 中国科学院大学

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学 085400-电子信息招生方向射频、微波器件与电路集成技术教育背景 2003-09--2008-06 中国科学院半导体研究所博士研究生博士 1999-09--2003-07 北京师范大学本科学士工作简历 2019-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员 2010-09~2019-04,中国科学院微电子研究所, 副研究员 2008-07~2010-09,中国科学院微电子研究所, 助理研究员 2003-09~2008-06,中国科学院半导体研究所, 博士研究生博士 1999-09~2003-07,北京师范大学, 本科学士教授课程微波集成电路设计基础专利成果（ 1 ）高频内匹配功率器件的封装方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201210319726.2 （ 2 ）氮化镓基液体传感器及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210319891.8 （ 3 ）一种适用于高频功率器件的稳定网络, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010235057.1 （ 4 ）混合微波集成电路, 2009, 第 1 作者, 专利号: 200910312074.8 （ 5 ）数字移相器, 2016, 第 2 作者, 专利号: 201610249117.2 （ 6 ）开关功率放大器, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201710332216.1 （ 7 ）一种数字移相器, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710504187.2 （ 8 ） HEMT与单刀双掷开关电路, 2018, 第 1 作者, 专利号: 172511O420180145_PN85911 （ 9 ） GaN HEMT器件的制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201810766959.4 （ 10 ）开关功率放大器和数字发射机, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201810957215.0 （ 11 ）一种紧凑型宽带Doherty功率放大器, 2020, 第 2 作者, 专利号: 202010758658.4 科研项目（ 1 ） XX波段GaN功率器件及MMIC, 参与, 国家级, 2010-01--2013-07 （ 2 ）氮化镓基新型液体传感器研究, 主持, 国家级, 2010-01--2013-12 （ 3 ） XX GaN E/D移相器研究, 主持, 国家级, 2015-01--2018-12 （ 4 ） XXX波段大功率开关器件研究, 主持, 国家级, 2017-01--2019-12 （ 5 ） 5G通信基站功率放大器, 主持, 国家级, 2019-09--2020-12 （ 6 ）硅基氮化镓射频功率核心器件与产业化, 主持, 部委级, 2020-01--2022-12 （ 7 ） GaN智能功率芯片, 主持, 国家级, 2019-12--2024-12

近期论文

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（1） Si基（111）超薄势垒InAlN/GaN HEMT开关起价小信号模型, 半导体器件, 2020, 通讯作者（2） Monolithic Integrated High Frequency GaN DC-DC Buck Converters with High Power Density Controlled by Current Mode Logic Level Signal, Electronics, 2020, 通讯作者（3） Trap-assisted tunneling current of ultrathin InAlN/GaN HEMTs on Si (111)substrate, Solid State Electronics, 2019, 通讯作者（4）采用CMOS工艺的C波段5bit数字移相器设计, 微电子学与计算机, 2019, 通讯作者（5） X波段GaN基小相位移相器设计, 半导体技术, 2018, 通讯作者（6） Analysis of reverse gate leakage mechanism of AlGaN/GaN HEMTs with N2 plasma surface treatment, Solid-State Electronics, 2018, 通讯作者（7） An X-band 22.5°/45° digital phase shifter based on switched filter networks, 2017, 38(6): 065001, Journal of Semiconductors, 2017, 通讯作者（8） X-band 5-bit MMIC phase shifter with GaN HEMT technology, 2017, 136: 18-23, Solid-State Electronics, 2017, 通讯作者（9） X 波段4 bit MMIC 数字移相器的设计与实现, 2017, 42(6):431-435, 半导体技术, 2017, 通讯作者（10） High-Power X -Band 5-b GaN Phase Shifter With Monolithic Integrated E/D HEMTs Control Logic, 2017, 64(9): 3627-3633, IEEE transactions on electron devices, 2017, 第 1 作者（11） Chinese Physics Letters, 2013, 第 1 作者（12） MIcroelectronics Journal, 2012, 第 1 作者（13） Microelectronics International, 2011, 第 1 作者（14） Solid-State Electronics, 2010, 第 1 作者（15） Superlattices and microstructures, 2008, 第 1 作者（16） Microlectronics Journal, 2008, 第 1 作者（17） Chinese Journal of Semiconductor, 2007, 第 1 作者