钟汇才 - 中国科学院大学

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学 081203-计算机应用技术 085208-电子与通信工程招生方向大数据与人工智能集成电路先导工艺技术教育背景 1999-07--2002-05 美国北卡罗纳州立大学博士 1995-09--1998-07 中国科学院固体物理研究所硕士工作简历 2009-08~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员 2007-01~2008-08,美国SanDisk公司, 主管器件工程师 2002-02~2006-09,美国AMD公司, 资深器件工程师奖励信息（1）中国科学院杰出成就奖, 一等奖, 部委级, 2014 专利成果（ 1 ）一种SOI衬底和具有SOI衬底的半导体器件及其形成方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010291541.6 （ 2 ）一种衬底结构、半导体器件及其制造方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010520798.4 （ 3 ）半导体器件及其形成方法、封装结构, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110112565.5 （ 4 ）一种半导体器件的制造方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010104991.X （ 5 ） Method for modulating flatband voltage of devices having high-k gate, 发明, 2006, 第 1 作者, 专利号: 7033894 （ 6 ）一种接触孔、半导体器件和二者的形成方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010175815.5 （ 7 ）层间介质层、具有该介质层的半导体器件及制造方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010215116.9 （ 8 ）半导体器件结构及其制造方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010230771.1 （ 9 ）半导体结构及其形成方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010033874.9 （ 10 ）半导体器件及其制作方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010034166.7 （ 11 ）一种半导体器件的制造方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010111079.7 （ 12 ） Semiconductor devices and methods for forming the same including contacting, 发明, 2007, 第 1 作者, 专利号: 7169676 （ 13 ）栅极堆叠的制造方法和半导体器件, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010197080.6 （ 14 ）嵌入式源/漏MOS晶体管及其形成方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110112309.6 （ 15 ） CMOS gates formed by integrating metals having different work functions, 发明, 2007, 第 2 作者, 专利号: 7176531 （ 16 ）半导体器件的接触的制造方法及具有该接触的半导体器件, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010215145.5 科研项目（ 1 ）集成电路先导工艺研究的器件测试, 主持, 国家级, 2009-12--2012-12 （ 2 ）面向远程医疗和社区医疗信息化的无线物联网技术总体研究, 参与, 国家级, 2011-12--2013-06 （ 3 ）汽车移动物联网总体技术研究, 参与, 国家级, 2012-01--2013-06 （ 4 ）半导体器件测试、分析和参数提取, 主持, 部委级, 2010-08--2012-12 （ 5 ）场发射枪扫描电子显微镜开发和应用, 主持, 国家级, 2014-01--2018-01 （ 6 ）高可靠非挥发存储技术与芯片, 主持, 院级, 2015-01--2019-01

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（1）缩小尺寸场效应管器件的载流子迁移率增强技术总体评估与现状, Mobility Enhancement Technology for Scaling of CMOS Devices: Overview and Status, Journal of ELECTRONIC MATERIALS,, 2011, 通讯作者（2）在体硅上利用与CMOSFET工艺兼容工艺制备的高性能N型环栅硅纳米管场效应器件, High-Performance Silicon Nanowire Gate-All-Around nMOSFETs Fabricated on Bulk Substrate Using CMOS-Compatible Process, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,, 2011, 通讯作者（3）利用反向Halo离子注入来控制场效应管的短沟道效应, On the Control of Short Channel Effect for MOSFETs with Reverse Halo Implantation, IEEE Electronic Device Letters, 2007, 第 2 作者（4） RuO2作为双金属极硅场效应管电极的电学特性, Electrical properties of RuO2 gate electrodes for dual metal gate Si-CMOS, IEEE Electronic Device Letters, 2001, 第 1 作者