个人简介
招生信息
特种SOI材料制备技术；
SOI CMOS器件辐射效应；
SOI CMOS电路抗辐射加固技术。
学历
1983.9-1987.7 西安理工大学 半导体器件与物理 获工学学士学位；
1990.9-1993.3 西安电子科技大学 微电子学 获工学硕士学位；
1997.2-2000.5 西安交通大学 微电子学 获工学博士学位。
工作经历
1987.7-1990.8 骊山微电子公司；
1993.3-2002.2 西北核技术研究所；
2002.2- 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 。
1983.7－1987.7在西安理工大学自动控制系半导体器件与物理专业学习，获工学学士学位。
1990.7-1993.3 在西安电子科技大学半导体器件与微电子学专业攻读硕士学位，获工学硕士学位。
1997.7-2000.6 在西安交通大学拜师于罗晋生教授攻读固体电子学与微电子学专业博士学位，获工学博士学位。
1987.7-1990.7 在骊山微电子公司集成电路厂工作，任助理工程师。
1993.3-2002.2 在总装备部西北核技术研究所，任副研究员，副主任等职。
2002.3-至今 中国科学院上海微系统与信息技术研究所，室学术秘书，副研究员，研究员，项目负责人。
多年来，本人先后独立和合作承担的国防预研课题共计7项，作为项目负责人共计5项。目前，在研项目3项，均为项目负责人。在各种学术刊物和会议发表学术论文80多篇，其中2004年至今有53篇；先后获5项科技进步奖，其中2006年获国家科技进步一等奖一项，2007年获中国科学院杰出成就奖一项。先后从事过集成电路的制造和测试、MOS器件的电离辐射效应和规律、MOS器件和电路电离辐射效应的试验方法的研究、MOS器件单粒子效应方面的研究工作。目前,主要从事SOI材料的制备技术、SOI材料的抗辐射加固、SOI器件的辐射效应及其加固等研究工作。2004年创造性的提出利用离子注入提高SIMOX材料的抗总剂量的方法。申请发明专利7项，使我国已经掌握了SIMOX材料的抗总剂量加固技术，为SOI的应用提供了坚实的材料保证。
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