王立新 - 中国科学院大学

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学 085208-电子与通信工程招生方向高可靠性器件与集成技术集成电路设计技术教育背景 2009-09--2012-07 中国科学院微电子研究所博士 2000-09--2003-07 北京工业大学硕士 1996-09--2000-07 河北工业大学学士工作简历 2003-07~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员奖励信息（1）中国科学院微电子研究所科技进步奖, 一等奖, 研究所（学校）, 2012 科研项目（ 1 ）第五、第六代高可靠功率MOSFET项目, 主持, 国家级, 2012-01--2018-12 （ 2 ）高压VDMOS器件研制, 主持, 部委级, 2016-01--2017-12 （ 3 ） 27项装备核心器件国产化研制项目, 主持, 国家级, 2013-01--2018-12

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（1） A Study of the Au-Al bonding lifetime for MOSFET devices, 22nd international symposium on the physical and failure analysis of integrated circuits, 2015 IPFA, 2015, 第 2 作者（2）星用功率VDMOS器件单粒子辐射损伤效应研究, 电子元器件辐射效应国际会议, 2015, 第 2 作者（3）半导体器件金铝键合的寿命研究, 微电子学, 2015, 第 2 作者（4） The effect of radiation damage on power VDMOS devices with composite SiO2–Si3N4 films [J], Chin. Phys. B，2013，Vol.22 No.3, 2013, 第 3 作者（5） PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究, 原子能科学技术, 2013, 第 3 作者（6）抗加功率VDMOS器件低剂量率辐射损伤效应研究, 微电子学, 2013, 第 3 作者（7）功率MOSFET的单粒子栅穿敏感区域的模拟研究, Simulation of the sensitive region to SEGR in Power MOSFETs, 半导体学报, 2012, 第 1 作者（8）星用功率VDMOS器件SEGR效应研究, 核技术, 2012, 第 1 作者（9）功率VDMOS晶体管的抗总剂量辐照研究, 核电子学与探测技术, 2012, 第 1 作者（10）高频硅PNP晶体管3CG120高温失效机理研究, 电子设计工程, 2012, 第 1 作者